 陶瓷雾化片 Atomization Piece 陶瓷雾化片 Atomization Piece
 陶瓷晶振 Ceramic SMD crystal 陶瓷晶振 Ceramic SMD crystal
 陶瓷滤波器 CeramicFilter 陶瓷滤波器 CeramicFilter
 声表面滤波器|谐振器 SAW filter 声表面滤波器|谐振器 SAW filter
 千赫晶体KHZ KHz Crystal 千赫晶体KHZ KHz Crystal
 石英晶振 Quartz Crystal 石英晶振 Quartz Crystal
 贴片晶振 SMD crystal 贴片晶振 SMD crystal
 NJR晶振 NJR晶振
 应达利晶振 应达利晶振
 日本大真空晶体 KDS晶振 日本大真空晶体 KDS晶振
 精工晶振 SEIKO晶体 精工晶振 SEIKO晶体
 日本村田陶瓷晶振 日本村田陶瓷晶振
 西铁城晶振 CITIZEN晶振 西铁城晶振 CITIZEN晶振
 爱普生晶振 EPSON晶振 爱普生晶振 EPSON晶振
 NSK晶振 NSK晶振 NSK晶振 NSK晶振
 大河晶振 大河晶振 大河晶振 大河晶振
 CTS晶振 美国CTS晶振 CTS晶振 美国CTS晶振
 TXC晶振 TXC晶振 TXC晶振 TXC晶振
 鸿星晶振 鸿星晶振 鸿星晶振 鸿星晶振
 加高晶振 加高晶振 加高晶振 加高晶振
 百利通亚陶晶振 百利通亚陶晶振 百利通亚陶晶振 百利通亚陶晶振
 泰艺晶振 泰艺晶振 泰艺晶振 泰艺晶振
 京瓷晶振 京瓷晶振 京瓷晶振 京瓷晶振
 NDK晶振 NDK晶振 NDK晶振 NDK晶振
 希华晶振 希华晶振 希华晶振 希华晶振
 富士晶振 富士晶振 富士晶振 富士晶振
 MERCURY晶振 MERCURY晶振
 NAKA晶振 NAKA晶振
 SMI晶振 SMI晶振
 安基晶振 安基晶振
 NKG晶振 NKG晶振
 Renesas瑞萨晶振 Renesas瑞萨晶振
 ITTI晶振 ITTI晶振
 CTS晶振 CTS晶振
 Abracon晶振 Abracon晶振
 微晶晶振 微晶晶振
 瑞康晶振 瑞康晶振
 FOX晶振 FOX晶振
 Statek晶振 Statek晶振
 ECS晶振 ECS晶振
 IDT晶振 IDT晶振
 高利奇晶振 高利奇晶振
 SiTime晶振 SiTime晶振
 日蚀晶振 日蚀晶振
 康纳温菲尔德晶振 康纳温菲尔德晶振
 Jauch晶振 Jauch晶振
 维管晶振 维管晶振
 拉隆晶振 拉隆晶振
 格林雷晶振 格林雷晶振
 Pletronics晶振 Pletronics晶振
 AEK晶振 AEK晶振
 AEL晶振 AEL晶振
 Cardinal晶振 Cardinal晶振
 Crystek晶振 Crystek晶振
 Euroquartz晶振 Euroquartz晶振
 Frequency晶振 Frequency晶振
 GEYER晶振 GEYER晶振
 ILSI晶振 ILSI晶振
 KVG晶振 KVG晶振
 MMDCOMP晶振 MMDCOMP晶振
 MtronPTI晶振 MtronPTI晶振
 QANTEK晶振 QANTEK晶振
 QuartzCom晶振 QuartzCom晶振
 QuartzChnik晶振 QuartzChnik晶振
 SUNTSU晶振 SUNTSU晶振
 Transko晶振 Transko晶振
 WI2WI晶振 WI2WI晶振
 韩国三呢晶振 韩国三呢晶振
 ARGO晶振 ARGO晶振
 ACT晶振 ACT晶振
 Milliren晶振 Milliren晶振
 韩国Lihom晶振 韩国Lihom晶振
 rubyquartz晶振 rubyquartz晶振
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 韩国SHINSUNG晶振 韩国SHINSUNG晶振
 PDI晶振 PDI晶振
 C-TECH晶振 C-TECH晶振
 IQD晶振 IQD晶振
 Microchip晶振 Microchip晶振
 Fortiming晶振 Fortiming晶振
 CORE晶振 CORE晶振
 NIPPON晶振 NIPPON晶振
 NIC晶振 NIC晶振
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 Bomar晶振 Bomar晶振
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 GED晶振 GED晶振
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 Q-Tech晶振 Q-Tech晶振
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 Wenzel晶振 Wenzel晶振
 NEL晶振 NEL晶振
 EM晶振 EM晶振
 德国PETERMANN晶振 德国PETERMANN晶振
 荷兰FCD-Tech晶体 荷兰FCD-Tech晶体
 HEC晶振 HEC晶振
 FMI晶振 FMI晶振
 Macrobizes晶振 Macrobizes晶振
 德国AXTAL晶振 德国AXTAL晶振
 Silicon晶振 Silicon晶振
 SKYWORKS晶振 SKYWORKS晶振
 石英晶体振荡器 石英晶体振荡器 石英晶体振荡器 石英晶体振荡器
 压控晶振 压控晶振 压控晶振 压控晶振
 温补晶振 温补晶振 温补晶振 温补晶振
 压控温补晶振 压控温补晶振 压控温补晶振 压控温补晶振
 恒温晶振 恒温晶振 恒温晶振 恒温晶振
 差分晶振 差分晶振 差分晶振 差分晶振
 32.768K有源晶振 32.768K有源晶振 32.768K有源晶振 32.768K有源晶振
座机: 0755-27876565
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QQ:857950243
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瑞康晶振,RTF3215晶振,SMD晶振

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	    瑞康晶振,RTF3215晶振,SMD晶振晶片边缘处理技术:贴片晶振是晶片通过滚筒倒边,主要是为了去除石英晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动了不稳定。
		    RAKON瑞康晶振与世界上一些最大的科技品牌合作,让他们的下一代解决方案成为了他们的下一代解决方案。Rakon在创新 上蓬勃发展,沉浸在不断变化的市场中,他理解市场对于有源晶振、压电陶瓷谐振器、表晶32. 768K石英晶体,晶振,石英晶振,有源晶振,压控晶体振荡器等元器件的需求,使其能够引领领先的规范,并推动技术的边界。我们将:提供可持续和盈利增长。●通过嵌入式行业性能基准测试产品和流程创新的文化。
●提供高附加值和高性能的晶振,石英晶振,温补晶振,石英晶体振荡器,是我们的业务
	●提供高附加值和高性能的晶振,石英晶振,温补晶振,石英晶体振荡器,是我们的业务
		核心。
●有快速、灵活和适应性制造解决方案的结合内部和制造伙伴关系。文化人们的启发,对齐,参与并积极的通过一个组织,支持和发展我们作为一个团队。瑞康晶振烤箱控制看到振荡器(OCSO)特性频率稳定度方面的卓越表现,老龄化和g-sensitivity。它们具有较低的噪声地板性能,而不具有降低近相噪声的特性。当需要超低相位噪声的时候,特别是在高频率的配合下,可以使用0CSO。
		
		
			
		
		
		
		
			
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	●有快速、灵活和适应性制造解决方案的结合内部和制造伙伴关系。文化人们的启发,对齐,参与并积极的通过一个组织,支持和发展我们作为一个团队。瑞康晶振烤箱控制看到振荡器(OCSO)特性频率稳定度方面的卓越表现,老龄化和g-sensitivity。它们具有较低的噪声地板性能,而不具有降低近相噪声的特性。当需要超低相位噪声的时候,特别是在高频率的配合下,可以使用0CSO。

| FREQUENCY CHARACTERISTICS | |
| RTF3215 | |
| Frequency | 32.768KHZ | 
| Frequency tolerance at 25°C (ppm) | 
							±10, ± 20, ± 30, ± 50, ± 100ppm | 
| Turnover temperature (°C) | 25 ± 5°C | 
| 
							Parabolic coefficient (/°C2) | −0.03 ±0.01 x 10−6°C | 
| Motional resistance (ESR) (kΩ) | 70 Max | 
| Load capacitance (pF) | 7.0, 9.0 and 12.5PF | 
| Storage temperature range (°C) | 
							−55 to +125°C | 
| Operating temperature range (°C) | −40 to 85 °C | 



			    石英晶体振荡器和实时时钟模块:所有石英晶体振荡器和实时时钟模块都以IC形式提供。噪音:在电源或输入端上施加执行级别(过高)的不相干(外部的)噪音,可能导致会引发功能失常或击穿的闭门或杂散现象。电源线路:电源的线路阻抗应尽可能低。输出负载:建议将石英晶振输出负载安装在尽可能靠近振荡器的地方(在20 mm范围之间)。未用输入终端的处理:未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作。同时,当P通道和N通道都处于打开时,电源功率消耗也会增加;因此,请将未用输入终端连接到VCC或GND。热影响:重复的温度巨大变化可能会降低受损害的石英晶振产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿。必须避免这种情况。安装方向:振荡器的不正确安装会导致故障以及崩溃,因此安装时,请检查安装方向是否正确。通电:不建议从中间电位和/或极快速通电,否则会导致无法产生振荡和/或非正常工作。瑞康晶振,RTF3215晶振,SMD晶振
		
			    我们可以改善的频率输出的偏差超过范围由以下几个方法:调整外部电容,Cd和CG的值。如果由频率计数器测量频率比目标频率高,要增加外部电容CL (或Ca以及C 8的值),以降低频率到我们的目标频率,反之亦然。可以采用不同负载电容(CL) 的晶振试用。试用晶振具有较低电容若频率比目标频率超高很多的话。请检查波形幅度是否是正常或不使用示波器,正确的电容是通过和频率调节到目标之后。根据该波形振幅收缩,由.于增加外部电容,请使用方法2调整频率(较低的外部电容,并采用低电容的SMD晶体)的情况。频率输出频率的目标只有三分之一。
		
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				公司:深圳市亿金电子有限公司
SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
电话:0755-27876565
手机:18924600166
QQ:857950243
邮箱:yijindz@163.com
网站:http://www.yijindz.com
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 销售代表
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