Inv：芯片内部反相器

RF：反馈电阻，一般集成在芯片内部，也有的芯片内部不集成RF

XTAL：无源晶振/石英晶体

CL1、CL2：外接电容，其作用是补偿负载电容

CS：由于PCB布线、连接等产生的寄生电容

R Ext：外部限流电阻

XTAL是无源晶振，相当于三点式里面的电感，CL1和CL2就是电容，Inv非门和R1实现一个NPN的三极管。若无源晶振负载CL=20PF，一般情况下，我们选择电容CL1=CL2=27PF~33PF。 选错外接电容可能会造成无源晶振不起振、起振困难或工作不稳定。Inv需要一个电阻，不然它处于饱和截止区，而不是放大区，RF相当于三极管的偏置作用，让Inv处于放大区域，那么Inv就是一个反相器，这个就实现了NPN三极管的作用，NPN三极管在共发射极接法时也是一个反相器。

无源晶振与外接电容

  一个正弦振荡电路要振荡的最基本条件为：系统放大倍数大于1。这个条件容易实现，相位满足360度，与晶振振荡频率相同的很小的振荡就会被放大。因为Inv是反相器，即：实现了180°移相，那么就需要CL1，CL2和XTAL实现180°移相就可以。恰好，当CL1，CL2，XTAL形成谐振时，能够实现180移相。实质上，我们可以把无源晶振XTAL看作是一个电感来理解。
  当CL1增大时,CL2端的振幅增强，当CL2降低时，振幅也增强。有时，在没有电容CL1和电容C2L的情况之下，无源晶振也能起振，但这并不能说明没有电容CL1和电容CL2，而是因为芯片引脚的分布电容引起。电容CL1和电容CL2本来就不需要很大容值，清楚这一点非常重要。
  两个电容对晶振振荡电路稳定性的影响
  因为Inv的电压反馈是靠电容CL2，假设电容CL2过大，反馈电压过低，可能会造成晶振振荡不稳定；假设CL2过小，反馈电压过高，储存能量过少，晶振则容易遭受外界干扰，也会辐射影响到外界电路中去。电容CL1的作用与电容CL2恰好相反。
  在我们电路板布线时，假设为单层板或双面板，来自分布电容（杂散电容CS）的影响可能不会很大。但是，假设在高密度多层板布线时，就需要考虑分布电容。
  针对用于工控项目电路板，建议不要选择无源晶振来提供时钟信号，而是直接采用有源晶振方案。道理很简单，我们需要为无源晶振搭建满足其起振的条件，若条件不被满足时，就容易发生无源晶振不起振或工作不稳定等问题。而工控项目对设备稳定性有严格要求，因此直接选用有源晶振。有源晶振之所以稳定，就是因为它的内部已经搭建好了一个含IC在内的振荡电路.