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首页晶振行业动态 SILICON晶振广泛的尖端系统级芯片(SoC)和模块产品组合

SILICON晶振广泛的尖端系统级芯片(SoC)和模块产品组合

来源:http://www.yijindz.com 作者:亿金电子 2022年05月17
    公司对客户的承诺以及我们全球约 550 名员工的奉献精神是我们成功的基石。这种方法为我们提供了竞争优势,这种优势将持续到未来。我们已经明确定义了我们的管理、环境和社会责任行为原则。我们位于瑞士和泰国的生产工厂已通过 ISO 9001(质量)和 ISO 14001(环境)和 IATF 16949(汽车)认证。微晶晶振所有的产品都满足必要的要求,如 RoHS、REACH 等。低频音叉晶体需要在真空下工作,因此需要密封封装。所有产品均符合 RoHS 标准且 100% 无铅。
510BBA156M250BAGR Si510 156.25MHz 3.3V ±25ppm
510BBA156M250BAGR Si510 156.25MHz 3.3V ±25ppm
510BBA156M250BAGR Si510 156.25MHz 3.3V ±25ppm
511FBA125M000BAG Si511 125MHz 2.5V ±25ppm
511BBA100M000AAG Si511 100MHz 3.3V ±25ppm
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511ABA156M250AAG Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm
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530FB125M000DG Si530 125MHz 2.5V ±20ppm
531BB125M000DG Si531 125MHz 3.3V ±20ppm
530BB125M000DG Si530 125MHz 3.3V ±20ppm
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530BC156M250DG Si530 156.25MHz 3.3V ±7ppm
531FC250M000DG Si531 250MHz 2.5V ±7ppm
511BBA100M000BAG Si511 100MHz 3.3V ±25ppm
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511BBA000110BAG Si511 148.35165MHz 3.3V ±25ppm
511BBA148M500AAG Si511 148.5MHz 3.3V ±25ppm
511FBA200M000BAG Si511 200MHz 2.5V ±25ppm
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511FBA200M000AAG Si511 200MHz 2.5V ±25ppm
511ABA25M0000BAG Si511 25MHz 3.3V ±25ppm

    随着全球经济的持续好转,我们注意到电子产品的消费支出在逐渐增长,而这其中有许多产品在中国生产。我们也注意到中国的电子产业正在迅速多样化发展,远远超出了其传统的消费类电子产品领域,越来越多的跨国公司和中国企业正在为通信和嵌入式市场进行电子设计。这些公司不仅在中国制造产品,而且也运用中国工程师的才能为各种终端应用进行新产品设计。正是这些市场驱动力推动了中国客户对晶体振荡器的需求。

511FCA100M000BAG Si511 100MHz 2.5V ±20ppm
511BCA100M000BAG Si511 100MHz 3.3V ±20ppm
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510ABA200M000BAG Si510 200MHz 3.3V ±25ppm
530FA156M250DG Si530 156.25MHz 2.5V ±50ppm
531BC000110DG Si531 148.35165MHz 3.3V ±7ppm
535FB125M000DG Si535 125MHz 2.5V ±20ppm
SI50122-A4-GM SI50122-A4 100MHz 2.25 V ~ 3.63 V +100ppm
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511ABA156M250AAGR Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm
511ABA156M250AAGR Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm
530FC125M000DG Si530 125MHz 2.5V ±7ppm
531BC200M000DG Si531 200MHz 3.3V ±7ppm
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511FBA100M000BAG Si511 100MHz 2.5V ±25ppm
511BBA106M250BAG Si511 106.25MHz 3.3V ±25ppm

    消费电子市场持续不断的快速增长带动大批量石英晶体振荡器的需求,而针对通信和嵌入式应用尽管现在数量还比较少,但我们也期望能有更多增长。振荡器通常用于各种消费类应用,包括智能手机、液晶电视、DVD播放机、数码相机和摄像机,以及平板电脑。在通信应用中,我们认为中国在以太网无源光网络(EPON)应用中将有更多的晶体振荡器需求,而我们产品中的许多是专为中国市场而设计。随着中国新兴中产阶级的不断扩大,购买力持续增长,我们认为针对中国本地设计和制造的电子产品需求将显著增长。

510BBA156M250AAG Si510 156.25MHz 3.3V ±25ppm
510ABA156M250AAG Si510 156.25MHz 3.3V ±25ppm
531BC125M000DG Si531 125MHz 3.3V ±7ppm
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511BBA106M250AAG Si511 106.25MHz 3.3V ±25ppm

    Silicon Labs为通信和嵌入式市场主要提供高性能的晶体振荡器(XO)和压控晶体振荡器(VCXO晶振)系列产品。这些产品为客户带来多种特有优势:首先,Silicon Labs采用批量定制和短周期交付商业模式提供XO/VCXO。任意频率的XO/VCXO能够进行工厂定制并在2周内交货(针对样片)和4周交货(针对产品订单)。

511FBA148M500BAG Si511 148.5MHz 2.5V ±25ppm
510FBA148M500BAG Si510 148.5MHz 2.5V ±25ppm
511BBA156M250BAG Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm
511FBA156M250BAG Si511 156.25MHz 2.5V ±25ppm
510BBA148M500BAG Si510 148.5MHz 3.3V ±25ppm
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510BBA148M500AAG Si510 148.5MHz 3.3V ±25ppm
510ABA148M500AAG Si510 148.5MHz 3.3V ±25ppm
510DBA100M000AAG Si510 100MHz 3.3V ±25ppm
531AC125M000DG Si531 125MHz 3.3V ±7ppm
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530AC156M250DG Si530 156.25MHz 3.3V ±7ppm
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531FC200M000DG Si531 200MHz 2.5V ±7ppm
530BC148M500DG Si530 148.5MHz 3.3V ±7ppm
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536BB125M000DG Si536 125MHz 3.3V ±20ppm

    传统的振荡器要求采用机械密集的工艺去切割石英晶体以产生特定频率的谐振。而对于大于125MHz的频率,传统工艺对生产过程较敏感,导致产品成本和交货时间增长 — 大约要14-16周。Silicon Labs改变了振荡器制造模式,可从单一的、具有成本效益的晶振和定制的CMOS IC生成任意的输出频率。例如近期推出的Si5350/51单芯片8路输出VCXO时钟发生器,在灵活性,抖动性以及功耗方面有了很大的提升,其性能优于4-PLL时钟,而且无需级联PLL和多余分立元件,通过专有的MutiSynth技术可输出8个任意频率,非常适合用于需要多个频率支持的器件。

531AC622M080DG Si531 622.08MHz 3.3V ±7ppm
531AC312M500DG Si531 312.5MHz 3.3V ±7ppm
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511FBA000149BAG Si511 74.175824MHz 2.5V ±25ppm
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511FBA000149AAG Si511 74.175824MHz 2.5V ±25ppm
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510FBA74M2500AAG Si510 74.25MHz 2.5V ±25ppm
511ABA74M2500AAG Si511 74.25MHz 3.3V ±25ppm
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510BBA74M2500AAG Si510 74.25MHz 3.3V ±25ppm
511FBA74M2500AAG Si511 74.25MHz 2.5V ±25ppm

    Silicon Labs所有的XO/ VCXO都提供小于1ps RMS的相位抖动特性,这使他们能够用于高速串行应用,如千兆以太网(Gigabit Ethernet)、万兆以太网(10GbE)、光纤通道(Fibre Channel)、广播视频(HD SDI)、SONET/SDH、光传输网络(OTN)、无源光网络(PON)、通用公共无线电接口(CPRI)和PCI Express Gen1/Gen2/Gen3。 Silicon Labs的Si5xx XO/ VCXO还提供了板上电压调节,大大减少了板级电源噪声对时钟抖动的增加。 Silicon Labs还提供单频率和多频率输出振荡器,包括I2C编程的XO(Si514、Si598、Si570)和VCXO(Si599、Si571),极大地提高了频率灵活性,而且通过消除多个分立XO/VCXO简化了多速率时钟发生器应用。总之,这些益处使得Si5xx XO/VCXO成为FPGA应用的理想时钟源。

510FBA106M250AAG Si510 106.25MHz 2.5V ±25ppm
511BBA000149AAG Si511 74.175824MHz 3.3V ±25ppm
510ABA155M520BAG Si510 155.52MHz 3.3V ±25ppm
510FBA155M520BAG Si510 155.52MHz 2.5V ±25ppm
511FBA155M520BAG Si511 155.52MHz 2.5V ±25ppm
510ABA000110BAG Si510 148.35165MHz 3.3V ±25ppm
511ABA000110BAG Si511 148.35165MHz 3.3V ±25ppm
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511ABA155M520BAG Si511 155.52MHz 3.3V ±25ppm
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510BBA155M520BAG Si510 155.52MHz 3.3V ±25ppm
510FBA155M520AAG Si510 155.52MHz 2.5V ±25ppm
510ABA000110AAG Si510 148.35165MHz 3.3V ±25ppm
510FBA000110AAG Si510 148.35165MHz 2.5V ±25ppm
511FBA155M520AAG Si511 155.52MHz 2.5V ±25ppm
510ABA155M520AAG Si510 155.52MHz 3.3V ±25ppm
511ABA148M500AAG Si511 148.5MHz 3.3V ±25ppm
511FBA148M500AAG Si511 148.5MHz 2.5V ±25ppm
511FBA156M250AAG Si511 156.25MHz 2.5V ±25ppm
510FBA212M500BAG Si510 212.5MHz 2.5V ±25ppm
511FBA212M500BAG Si511 212.5MHz 2.5V ±25ppm
510ABA212M500BAG Si510 212.5MHz 3.3V ±25ppm
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510BBA212M500AAG Si510 212.5MHz 3.3V ±25ppm
510FBA212M500AAG Si510 212.5MHz 2.5V ±25ppm
510FBA200M000AAG Si510 200MHz 2.5V ±25ppm
511ABA212M500AAG Si511 212.5MHz 3.3V ±25ppm
510EBA125M000AAG Si510 125MHz 2.5V ±25ppm
510ACA47M2500AAG Si510 47.25MHz 3.3V ±20ppm
530AC106M250DG Si530 106.25MHz 3.3V ±7ppm
530EC106M250DG Si530 106.25MHz 2.5V ±7ppm
531AC106M250DG Si531 106.25MHz 3.3V ±7ppm
531EC106M250DG Si531 106.25MHz 2.5V ±7ppm

    另外,在3月中旬,Silicon Labs公司将推出针对小于250MHz时钟应用的Si51x XO/VCXO系列产品。新的振荡器系列产品包括单频、双频和I2C编程的频率器件,支持100kHz-250MHz任意输出频率。该系列产品还支持所有常用的信号格式(LVPECL、LVDS、HCSL和CMOS)和电源电压(1.8V、2.5V和3.3V)。这些器件采用5mm x7mm和3.2mm x 5mm标准工业封装,与传统的XO/ VCXO相比具有更高的频率灵活性、更低的抖动特性、更好的电源噪声抑制和更低的功耗。 

530FC106M250DG Si530 106.25MHz 2.5V ±7ppm
530BC106M250DG Si530 106.25MHz 3.3V ±7ppm
531BC187M500DG Si531 187.5MHz 3.3V ±7ppm
530EC155M520DG Si530 155.52MHz 2.5V ±7ppm
531EC155M520DG Si531 155.52MHz 2.5V ±7ppm
530EC187M500DG Si530 187.5MHz 2.5V ±7ppm
531AC187M500DG Si531 187.5MHz 3.3V ±7ppm
531EC187M500DG Si531 187.5MHz 2.5V ±7ppm
530AC000110DG Si530 148.35165MHz 3.3V ±7ppm
530AC148M500DG Si530 148.5MHz 3.3V ±7ppm
530EC000110DG Si530 148.35165MHz 2.5V ±7ppm
530FC000110DG Si530 148.35165MHz 2.5V ±7ppm
531EC000110DG Si531 148.35165MHz 2.5V ±7ppm
531EC148M500DG Si531 148.5MHz 2.5V ±7ppm
530BC155M520DG Si530 155.52MHz 3.3V ±7ppm
530EC156M250DG Si530 156.25MHz 2.5V ±7ppm
530AC187M500DG Si530 187.5MHz 3.3V ±7ppm
530BC187M500DG Si530 187.5MHz 3.3V ±7ppm
530FC187M500DG Si530 187.5MHz 2.5V ±7ppm
530EC148M500DG Si530 148.5MHz 2.5V ±7ppm
530EC200M000DG Si530 200MHz 2.5V ±7ppm
531FC155M520DG Si531 155.52MHz 2.5V ±7ppm

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