介绍
TC-12.000MBD-T,TD-12.000MBD-T,TD-4.096MBD-T.为了保护和确保可焊性,Statek晶振建议将我们的标准产品储存在15°C至35°C的温度和25%至85%RH的湿度下。
本文档提供了在客户所在地处理晶体或晶体振荡器产品的指南。它涵盖了从在客户码头收到产品并存储在客户货架上的产品处理，通过从装运箱中取出、电路板焊接和分板/分割，以及在客户的最终产品中安装到客户的电路板上。

7XZ-32.768KDA-T	TXC晶振	7XZ	XO	32.768kHz	±25ppm
7XZ-32.768KDA-T	TXC晶振	7XZ	XO	32.768kHz	±25ppm
7XZ-32.768KDA-T	TXC晶振	7XZ	XO	32.768kHz	±25ppm
7XZ-32.768KDE-T	TXC晶振	7XZ	XO	32.768kHz	±50ppm
7XZ-32.768KDE-T	TXC晶振	7XZ	XO	32.768kHz	±50ppm
7XZ-32.768KDE-T	TXC晶振	7XZ	XO	32.768kHz	±50ppm
7W-8.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	8MHz	±50ppm
7W-8.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	8MHz	±50ppm
7W-8.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	8MHz	±50ppm
7W-50.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	50MHz	±50ppm
7W-50.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	50MHz	±50ppm
7W-50.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	50MHz	±50ppm
7W-50.000MBA-T	TXC晶振	7W	XO	50MHz	±25ppm
7W-50.000MBA-T	TXC晶振	7W	XO	50MHz	±25ppm
7W-50.000MBA-T	TXC晶振	7W	XO	50MHz	±25ppm
AU-26.000MBE-T	TXC晶振	AU	XO	26MHz	±50ppm
AU-26.000MBE-T	TXC晶振	AU	XO	26MHz	±50ppm
AU-26.000MBE-T	TXC晶振	AU	XO	26MHz	±50ppm
7C-40.000MBA-T	TXC晶振	7C	XO	40MHz	±25ppm
7C-40.000MBA-T	TXC晶振	7C	XO	40MHz	±25ppm
7C-40.000MBA-T	TXC晶振	7C	XO	40MHz	±25ppm
7Z-38.400MBG-T	TXC晶振	7Z	TCXO	38.4MHz	±500ppb
7Z-38.400MBG-T	TXC晶振	7Z	TCXO	38.4MHz	±500ppb
7Z-38.400MBG-T	TXC晶振	7Z	TCXO	38.4MHz	±500ppb
6U-16.384MBE-T	TXC晶振	6U	VCXO	16.384MHz	±50ppm
6U-16.384MBE-T	TXC晶振	6U	VCXO	16.384MHz	±50ppm
6U-16.384MBE-T	TXC晶振	6U	VCXO	16.384MHz	±50ppm
BF-125.000MBE-T	TXC晶振	BF	XO	125MHz	±50ppm

尽管本技术说明为所有晶体和晶体振荡器设备提供了处理指南，但Statek晶体和晶体振荡器的设计和制造坚固耐用，在遭受错误处理时应该优于行业中的平均晶体和晶体振荡器。 

BF-125.000MBE-T	TXC晶振	BF	XO	125MHz	±50ppm
BF-125.000MBE-T	TXC晶振	BF	XO	125MHz	±50ppm
BF-100.000MBE-T	TXC晶振	BF	XO	100MHz	±50ppm
BF-100.000MBE-T	TXC晶振	BF	XO	100MHz	±50ppm
BF-100.000MBE-T	TXC晶振	BF	XO	100MHz	±50ppm
BX-100.000MBE-T	TXC晶振	BX	XO	100MHz	±50ppm
BX-100.000MBE-T	TXC晶振	BX	XO	100MHz	±50ppm
BX-100.000MBE-T	TXC晶振	BX	XO	100MHz	±50ppm
CX-100.000MBE-T	TXC晶振	CX	XO	100MHz	±50ppm
CX-100.000MBE-T	TXC晶振	CX	XO	100MHz	±50ppm
CX-100.000MBE-T	TXC晶振	CX	XO	100MHz	±50ppm
7XZ-32.768KBA-T	TXC晶振	7XZ	XO	32.768kHz	±25ppm
7XZ-32.768KBA-T	TXC晶振	7XZ	XO	32.768kHz	±25ppm
7XZ-32.768KBA-T	TXC晶振	7XZ	XO	32.768kHz	±25ppm
7W-25.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	25MHz	±50ppm
7W-25.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	25MHz	±50ppm
7W-25.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	25MHz	±50ppm
7W-48.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	48MHz	±50ppm
7W-48.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	48MHz	±50ppm
7W-48.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	48MHz	±50ppm
7X-19.200MBB-T	TXC晶振	7X	XO	19.2MHz	±50ppm
7X-19.200MBB-T	TXC晶振	7X	XO	19.2MHz	±50ppm
7X-19.200MBB-T	TXC晶振	7X	XO	19.2MHz	±50ppm
7X-30.000MBB-T	TXC晶振	7X	XO	30MHz	±50ppm
7X-30.000MBB-T	TXC晶振	7X	XO	30MHz	±50ppm
7X-30.000MBB-T	TXC晶振	7X	XO	30MHz	±50ppm
AW-11.2896MBE-T	TXC晶振	AW	XO	11.2896MHz	±50ppm
AW-11.2896MBE-T	TXC晶振	AW	XO	11.2896MHz	±50ppm
AW-11.2896MBE-T	TXC晶振	AW	XO	11.2896MHz	±50ppm
AU-50.000MBE-T	TXC晶振	AU	XO	50MHz	±50ppm

所有晶体和晶体振荡器的一般处理指南
晶体和振荡器产品的设计和制造能够承受一定的冲击水平。这些级别在产品数据表的“规格”部分中进行了说明。由于处理或制造过程步骤而超过这些冲击水平可能会导致设备的电气特性发生变化和/或实际损坏。

AU-50.000MBE-T	TXC晶振	AU	XO	50MHz	±50ppm
AU-50.000MBE-T	TXC晶振	AU	XO	50MHz	±50ppm
7X-38.400MBA-T	TXC晶振	7X	XO	38.4MHz	±25ppm
7X-38.400MBA-T	TXC晶振	7X	XO	38.4MHz	±25ppm
7X-38.400MBA-T	TXC晶振	7X	XO	38.4MHz	±25ppm
8W-12.000MBA-T	TXC晶振	8W	XO	12MHz	±25ppm
8W-12.000MBA-T	TXC晶振	8W	XO	12MHz	±25ppm
8W-12.000MBA-T	TXC晶振	8W	XO	12MHz	±25ppm
BB-125.000MBE-T	TXC晶振	BB	XO	125MHz	±50ppm
BB-125.000MBE-T	TXC晶振	BB	XO	125MHz	±50ppm
BB-125.000MBE-T	TXC晶振	BB	XO	125MHz	±50ppm
7W-4.096MBB-T	TXC晶振	7W	XO	4.096MHz	±50ppm
7W-4.096MBB-T	TXC晶振	7W	XO	4.096MHz	±50ppm
7W-4.096MBB-T	TXC晶振	7W	XO	4.096MHz	±50ppm
7W-40.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	40MHz	±50ppm
7W-40.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	40MHz	±50ppm
7W-40.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	40MHz	±50ppm
7C-26.000MBB-T	TXC晶振	7C	XO	26MHz	±50ppm
7C-26.000MBB-T	TXC晶振	7C	XO	26MHz	±50ppm
7C-26.000MBB-T	TXC晶振	7C	XO	26MHz	±50ppm
7C-40.000MCB-T	TXC晶振	7C	XO	40MHz	±50ppm
7C-40.000MCB-T	TXC晶振	7C	XO	40MHz	±50ppm
7C-40.000MCB-T	TXC晶振	7C	XO	40MHz	±50ppm
7W-66.6666MBB-T	TXC晶振	7W	XO	66.6666MHz	±50ppm
7W-66.6666MBB-T	TXC晶振	7W	XO	66.6666MHz	±50ppm
7W-66.6666MBB-T	TXC晶振	7W	XO	66.6666MHz	±50ppm
7W-24.576MBA-T	TXC晶振	7W	XO	24.576MHz	±25ppm
7W-24.576MBA-T	TXC晶振	7W	XO	24.576MHz	±25ppm
7W-24.576MBA-T	TXC晶振	7W	XO	24.576MHz	±25ppm
7X-19.200MBA-T	TXC晶振	7X	XO	19.2MHz	±25ppm

为了保护和确保可焊性，Statek建议将我们的标准产品储存在15°C至35°C的温度和25%至85%RH的湿度下。
一些客户报告说，对晶体进行超声波清洗会损坏晶体，或者在极端情况下会导致晶体破裂。这种损坏或破损可能发生在低频和高频晶体中。因此，我们建议客户在对我们的设备进行超声波清洗时要小心，并首先尝试验证这样的清洗过程不会损坏设备。

7X-19.200MBA-T	TXC晶振	7X	XO	19.2MHz	±25ppm
7X-19.200MBA-T	TXC晶振	7X	XO	19.2MHz	±25ppm
BB-161.1328MBE-T	TXC晶振	BB	XO	161.1328MHz	±50ppm
BB-161.1328MBE-T	TXC晶振	BB	XO	161.1328MHz	±50ppm
BB-161.1328MBE-T	TXC晶振	BB	XO	161.1328MHz	±50ppm
7X-20.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	20MHz	±50ppm
7X-20.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	20MHz	±50ppm
7X-20.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	20MHz	±50ppm
7X-20.000MBB-T	TXC晶振	7X	XO	20MHz	±50ppm
7X-20.000MBB-T	TXC晶振	7X	XO	20MHz	±50ppm
7X-20.000MBB-T	TXC晶振	7X	XO	20MHz	±50ppm
AU-33.000MBE-T	TXC晶振	AU	XO	33MHz	±50ppm
AU-33.000MBE-T	TXC晶振	AU	XO	33MHz	±50ppm
AU-33.000MBE-T	TXC晶振	AU	XO	33MHz	±50ppm
7WA2572007	TXC晶振	7W	XO	125MHz	±50ppm
7WA2572007	TXC晶振	7W	XO	125MHz	±50ppm
7WA2572007	TXC晶振	7W	XO	125MHz	±50ppm
6U-32.768MBE-T	TXC晶振	6U	VCXO	32.768MHz	±50ppm
6U-32.768MBE-T	TXC晶振	6U	VCXO	32.768MHz	±50ppm
6U-32.768MBE-T	TXC晶振	6U	VCXO	32.768MHz	±50ppm
BF-62.500MBE-T	TXC晶振	BF	XO	62.5MHz	±50ppm
BF-62.500MBE-T	TXC晶振	BF	XO	62.5MHz	±50ppm
BF-62.500MBE-T	TXC晶振	BF	XO	62.5MHz	±50ppm
BB-150.000MBE-T	TXC晶振	BB	XO	150MHz	±50ppm
BB-150.000MBE-T	TXC晶振	BB	XO	150MHz	±50ppm

如果使用自动组装机或拾放机将零件从托盘或卷轴上放置到板上，建议调整机器臂的速度，并且机器正确对减速和设备高度进行编程，以免在放置零件时由于头部的冲击而损坏零件。使用柔软或橡胶包覆的尖端也有助于消除对设备的任何损坏。

BB-150.000MBE-T	TXC晶振	BB	XO	150MHz	±50ppm
BR-61.4400MBE-T	TXC晶振	BR	VCXO	61.44MHz	±50ppm
BR-61.4400MBE-T	TXC晶振	BR	VCXO	61.44MHz	±50ppm
BR-61.4400MBE-T	TXC晶振	BR	VCXO	61.44MHz	±50ppm
7N-12.800MBP-T	TXC晶振	7N	TCXO	12.8MHz	±280ppb
7N-12.800MBP-T	TXC晶振	7N	TCXO	12.8MHz	±280ppb
7N-12.800MBP-T	TXC晶振	7N	TCXO	12.8MHz	±280ppb
7N-26.000MBP-T	TXC晶振	7N	TCXO	26MHz	±280ppb
7N-26.000MBP-T	TXC晶振	7N	TCXO	26MHz	±280ppb
7N-26.000MBP-T	TXC晶振	7N	TCXO	26MHz	±280ppb
TC-3.6864MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	3.6864MHz	±25ppm
TC-3.6864MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	3.6864MHz	±25ppm
TC-3.6864MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	3.6864MHz	±25ppm
TC-70.000MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	70MHz	±25ppm
TC-70.000MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	70MHz	±25ppm
TC-70.000MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	70MHz	±25ppm
TD-19.200MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	19.2MHz	±25ppm
TD-19.200MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	19.2MHz	±25ppm
TD-19.200MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	19.2MHz	±25ppm
TD-3.6864MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	3.6864MHz	±25ppm
TD-3.6864MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	3.6864MHz	±25ppm
TD-3.6864MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	3.6864MHz	±25ppm
TD-64.000MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	64MHz	±25ppm
TD-64.000MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	64MHz	±25ppm
TD-64.000MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	64MHz	±25ppm
TD-7.3728MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	7.3728MHz	±25ppm
TD-7.3728MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	7.3728MHz	±25ppm
TD-7.3728MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	7.3728MHz	±25ppm
7W-32.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	32MHz	±50ppm
7W-32.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	32MHz	±50ppm

处理所有晶体和晶体振荡器的印刷线路板
在电路板制造/焊接过程中，应尽量减少任何电路板剪切、弯曲、扭曲、振动或类似力，以降低损坏设备的风险。

7W-32.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	32MHz	±50ppm
7X-19.200MBE-T	TXC晶振	7X	XO	19.2MHz	±50ppm
7X-19.200MBE-T	TXC晶振	7X	XO	19.2MHz	±50ppm
7X-19.200MBE-T	TXC晶振	7X	XO	19.2MHz	±50ppm
8W-26.000MBE-T	TXC晶振	8W	XO	26MHz	±50ppm
8W-26.000MBE-T	TXC晶振	8W	XO	26MHz	±50ppm
8W-26.000MBE-T	TXC晶振	8W	XO	26MHz	±50ppm
7X-30.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	30MHz	±50ppm
7X-30.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	30MHz	±50ppm
7X-30.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	30MHz	±50ppm
7X-25.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	25MHz	±50ppm
7X-25.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	25MHz	±50ppm
7X-25.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	25MHz	±50ppm
7X-38.400MBE-T	TXC晶振	7X	XO	38.4MHz	±50ppm
7X-38.400MBE-T	TXC晶振	7X	XO	38.4MHz	±50ppm
7X-38.400MBE-T	TXC晶振	7X	XO	38.4MHz	±50ppm
7X-48.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	48MHz	±50ppm
7X-48.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	48MHz	±50ppm
7X-48.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	48MHz	±50ppm
8W-20.000MBE-T	TXC晶振	8W	XO	20MHz	±50ppm
8W-20.000MBE-T	TXC晶振	8W	XO	20MHz	±50ppm
8W-20.000MBE-T	TXC晶振	8W	XO	20MHz	±50ppm
8W-13.000MBE-T	TXC晶振	8W	XO	13MHz	±50ppm
8W-13.000MBE-T	TXC晶振	8W	XO	13MHz	±50ppm
8W-13.000MBE-T	TXC晶振	8W	XO	13MHz	±50ppm
7X-50.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	50MHz	±50ppm
7X-50.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	50MHz	±50ppm
7X-50.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	50MHz	±50ppm
8W-24.000MBE-T	TXC晶振	8W	XO	24MHz	±50ppm
8W-24.000MBE-T	TXC晶振	8W	XO	24MHz	±50ppm

如果PC板面板包含超过一定数量的板（例如，25到30个板），则任何此类问题都可能会加剧。由于板填充过程引入到板的部分力被传递到板上的所有板，在每个板有大量板的情况下，累积振动效应转移到板上的最后几块板可能被证明是过度的。

8W-24.000MBE-T	TXC晶振	8W	XO	24MHz	±50ppm
7X-26.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	26MHz	±50ppm
7X-26.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	26MHz	±50ppm
7X-26.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	26MHz	±50ppm
TD-4.096MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	4.096MHz	±25ppm
TD-4.096MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	4.096MHz	±25ppm
TD-4.096MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	4.096MHz	±25ppm
TC-33.000MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	33MHz	±25ppm
TC-33.000MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	33MHz	±25ppm
TC-33.000MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	33MHz	±25ppm
TD-40.000MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	40MHz	±25ppm
TD-40.000MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	40MHz	±25ppm
TD-40.000MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	40MHz	±25ppm
TD-49.152MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	49.152MHz	±25ppm
TD-49.152MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	49.152MHz	±25ppm
TD-49.152MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	49.152MHz	±25ppm
TC-4.000MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	4MHz	±25ppm
TC-4.000MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	4MHz	±25ppm
TC-4.000MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	4MHz	±25ppm
TC-16.0972MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	16.0972MHz	±25ppm
TC-16.0972MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	16.0972MHz	±25ppm
TC-16.0972MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	16.0972MHz	±25ppm
TD-24.576MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	24.576MHz	±25ppm
TD-24.576MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	24.576MHz	±25ppm
TD-24.576MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	24.576MHz	±25ppm
TC-24.576MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	24.576MHz	±25ppm
TC-24.576MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	24.576MHz	±25ppm
TC-24.576MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	24.576MHz	±25ppm
TD-12.000MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	12MHz	±25ppm
TD-12.000MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	12MHz	±25ppm
TD-12.000MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	12MHz	±25ppm
TC-20.000MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	20MHz	±25ppm
TC-20.000MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	20MHz	±25ppm
TC-20.000MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	20MHz	±25ppm
TC-12.000MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	12MHz	±25ppm