OCXO：烤箱控制晶体振荡器
如果稳定性要求太严格而无法通过基本晶体振荡器或TCXO来满足，则晶体和关键电路可以通过烤箱进行温度控制。Vectron恒温器控制晶体振荡器的框图类似于Vectron TCXO的框图，只是删除了变容二极管和相关的热敏电阻补偿网络，而振荡器由比例控制的恒温器晶振进行温度控制。

16.0000M-FQ5032-T

Hosonic 晶振

5x3.2mm SMD Xtal

18.4320M-FQ5032-T

Hosonic 晶振

5x3.2mm SMD Xtal

5SB10.0000F20E33F

Hosonic 晶振

CRYSTAL / 10.000MHZ / 20pf / 5.0x3.2x0.9

D7SX30E00000PE

Hosonic 晶振

D37A30.0000NNS

E2SB16.0000F10E11

Hosonic 晶振

HCX-2SB 系列 2.5 x 2 x 0.55 mm 16 MHz ±10 ppm 10 pF 表面贴装 晶体

E2SB18.4320F10E11

Hosonic 晶振

低至：¥2.937106 (CNY)

HCX-2SB 系列 2.5 x 2 x 0.55 mm 18.432 MHz ±10 ppm 10 pF 表面贴装 晶体

E2SB20.0000F10E11

Hosonic 晶振

HCX-2SB 系列 2.5 x 2 x 0.55 mm 20 MHz ±10 ppm 10 pF 表面贴装 晶体

E2SB24.0000F10E11

Hosonic 晶振

HCX-2SB 系列 2.5 x 2 x 0.55 mm 24 MHz ±10 ppm 10 pF 表面贴装 晶体

E2SB27.0000F10E11

Hosonic 晶振

HCX-2SB 系列 2.5 x 2 x 0.55 mm 27 MHz ±10 ppm 10 pF 表面贴装 晶体

E3FB12.0000F18E33

Hosonic 晶振

HCX-3FB 系列 12 MHz 18 pF 3.2 x 2.5 x 0.8 mm 表面贴装 晶体单元

E3FB16.0000F18E33

Hosonic 晶振

HCX-3FB 系列 16 MHz 18 pF 3.2 x 2.5 x 0.8 mm 表面贴装 晶体单元

E3FB24.0000F18E33

Hosonic 晶振

HCX-3FB 系列 24 MHz 18 pF 3.2 x 2.5 x 0.8 mm 表面贴装 晶体单元

E3FB27.0000F18E33

Hosonic 晶振

HCX-3FB Series 27 MHz ±30 ppm 18 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal

比例控制是一种电子伺服系统，持续为烤箱供电；它会改变烤箱的功率，不断补偿环境温度的变化。在许多Vectron烤箱控制振荡器中，热敏电阻被热沉到烤箱的金属外壳上以感应温度。热敏电阻是电阻桥的一个分支。

E3SB12E000021E

Hosonic 晶振

HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 12 MHz ±20 ppm 18 pF 表面贴装 晶体

E3SB13.0000F18E22

Hosonic 晶振

HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 13 MHz ±20 ppm 18 pF 表面贴装 晶体

E3SB13.5600F18E22

Hosonic 晶振

HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 13.56 MHz ±10 ppm 18 pF 表面贴装 晶体

E3SB13.5600F18E22

Hosonic 晶振

HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 13.56 MHz ±10 ppm 18 pF 表面贴装 晶体

E3SB16.0000F18E22

Hosonic 晶振

HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 16 MHz ±20 ppm 18 pF 表面贴装 晶体

E3SB18.4320F18E22

Hosonic 晶振

HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 18.4318 MHz ±20 ppm 18 pF 表面贴装 晶体

E3SB20E000014E

Hosonic 晶振

HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 20 MHz ±20 ppm 18 pF 表面贴装 晶体

E3SB24.0000F12M33

Hosonic 晶振

HCX-3SB Series 24 MHz ±15 ppm 12 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal

E3SB24.0000F18E22

Hosonic 晶振

HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 24 MHz ±20 ppm 18 pF 表面贴装 晶体

E3SB24.5760F18E22

Hosonic 晶振

HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 24.576 MHz ±20 ppm 18 pF 表面贴装 晶体

E3SB24E00000SE

Hosonic 晶振

HCX-3SB Series 24 MHz ±20 ppm 10 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal

电桥的工作原理是，如果烤箱的温度由于环境温度变化而降低，热敏电阻电阻的变化会导致电桥不平衡，从而增加电桥输出电压。该电压在高增益差分放大器中被放大。差分放大器的输出在功率放大器中进一步放大，直接驱动到烘箱绕组中。因此，由于电桥不平衡导致的小电压增加会在烘箱绕组上产生很大的电压增加。烤箱功率的增加会产生更多的热量，以补偿最初由热敏电阻感应到的温度下降。同样，烤箱温度升高会导致桥输出电压降低，从而导致进入烤箱的功率降低并补偿温度降低。

E3SB25.0000F18E22

Hosonic 晶振

HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 25 MHz ±20 ppm 18 pF 表面贴装 晶体

E3SB26E00000YE

Hosonic 晶振

HCX-3SB Series 26 MHz ±20 ppm 12 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal

E3SB27E0X000LE

Hosonic 晶振

HCX-3SB Series 27 MHz ±20 ppm 18 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal

E3SB40.0000F18E22

Hosonic 晶振

HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 40 MHz ±20 ppm 18 pF 表面贴装 晶体

E3SB40E001200E

Hosonic 晶振

HCX-3SB Series 40 MHz ±30 ppm 10 pf -20 to +70 °C Surface Mount Crystal

E49A11E0X000JE

Hosonic 晶振

HC-49SA 系列 3.5 mm 高 11.0592 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶体单元

E49A12E00000ME

Hosonic 晶振

HC-49SA Series 12 MHz ±30 ppm 20 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal

E49A16E00000ME

Hosonic 晶振

HC-49SA 系列 3.5 mm 高 16 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶体单元

E49A24E00000HE

Hosonic 晶振

HC-49SA 系列 3.5 mm 高 24 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶体单元

E49A25E00001AE

Hosonic 晶振

HC-49SA 系列 3.5 mm 高 25 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶体单元

E49A25E000033E

Hosonic 晶振

20pf/±30ppm/±30ppm/-20+70c/F/Lead cut=3.2±0.2 Crystal

E49A4E000000JE

Hosonic 晶振

HC-49SA 系列 3.5 mm 高 4 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶体单元

E49A7E00X0007E

Hosonic 晶振

HC-49SA 系列 3.5 mm 高 7.3728 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶体单元

在某些Vectron OCXO中使用的这种设计的替代方案是将功率放大器的热量沉入烤箱外壳作为热传递机制，以代替加热器绕组。这个概念是相同的，唯一的区别是加热到烤箱的车辆。

E49A8E000001CE

Hosonic 晶振

E49A Series 10 pF -20 to +70 °C Through Hole Crystal

E49B10E00000TE

Hosonic 晶振

E49B Series 10 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal

E49B12E00001DE

Hosonic 晶振

E49B Series 66 MHz ±50 ppm 10 pF -30 to +85 °C Surface Mount Crystal - HC-49/S

E49B12E000022E

Hosonic 晶振

HC-49SB Series 12 MHz ±30 ppm 10 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal

E49B16E00000KE

Hosonic 晶振

HC-49SM 系列 16 MHz 16 pF 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 表面贴装 晶体单元

E49B16E00000SE

Hosonic 晶振

HC-49SB Series 16 MHz ±30 ppm 18 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal

E49B4E000000GE

Hosonic 晶振

HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 4 MHz ±30 ppm 18 pF 表面贴装 晶体 单元

E49B4E00X000ZE

Hosonic 晶振

E49B Series 10 pF -20 to +70°C Surface Mount Crystal

E49B7E00X000AE

Hosonic 晶振

HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 7.3728 MHz ±30 ppm 18 pF 表面贴装 晶体单元

E49B8E00X000CE

Hosonic 晶振

E49B Series 10pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal

E49B9E00X0009E

Hosonic 晶振

ESB 系列 9.84375 MHz ±30 ppm 10 pF -40至85 °C 表面贴装 晶体

E5FA10.0000F18E33

Hosonic 晶振

HCX-5FA 系列 5 x 3.2 x 1.2 mm 10 MHz ±30 ppm 18 pF 表面贴装 晶体

E5FA12E00000ME

Hosonic 晶振

HCX-5FA 系列 5 x 3.2 x 1.2 mm 12 MHz ±30 ppm 18 pF 表面贴装 晶体

E5FA13.5600F18E33

Hosonic 晶振

HCX-5FA Series 13.56 MHz ±30 ppm 18 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal

使用比例控制的烘箱可以将振荡器温度稳定性相对于晶体的固有稳定性提高5000倍以上（例如，在0-50°C范围内从±1x10-5到±1x10-9）。然而，烤箱控制系统并不完美，因为(a)开环增益不是无限的，(b)烤箱内部存在内部温度梯度，以及(c)烤箱外部受环境温度变化影响的电路可以“拉”频率。因此，环境温度的变化将导致烘箱温度的微小变化。

E5FA14.7456F18E33

Hosonic 晶振

HCX-5FA 系列 5 x 3.2 x 1.2 mm 14.7456 MHz ±30 ppm 18 pF 表面贴装 晶体

E5FA16.0000F18E33

Hosonic 晶振

HCX-5FA 系列 5 x 3.2 x 1.2 mm 16 MHz ±30 ppm 18 pF 表面贴装 晶体

E5FA18.4320F18E33

Hosonic 晶振

HCX-5FA 系列 5 x 3.2 x 1.2 mm 18.432 MHz ±30 ppm 18 pF 表面贴装 晶体

E5FA24.0000F18E33

Hosonic 晶振

HCX-5FA 系列 5 x 3.2 x 1.2 mm 24 MHz ±30 ppm 18 pF 表面贴装 晶体

E5FA24.0000F20D33

Hosonic 晶振

HCX-5FA Series 24 MHz ±30 ppm 20 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal

E5FA24.5760F18E33

Hosonic 晶振

HCX-5FA 系列 5 x 3.2 x 1.2 mm 24.576 MHz ±30 ppm 18 pF 表面贴装 晶体

E5FA25E00000KE

Hosonic 晶振

HCX-5FA Series 25 MHz ±30 ppm 16 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal

E5FA25E00000TE

Hosonic 晶振

HCX-5FA 系列 5 x 3.2 x 1.2 mm 25 MHz ±30 ppm 18 pF 表面贴装 晶体

E5SB11E0X0006E

Hosonic 晶振

HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 11.0592 MHz ±30 ppm 18 pF 表面贴装 晶体

E5SB12.0000F18E33

Hosonic 晶振

HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 12 MHz ±30 ppm 18 pF 表面贴装 晶体

E5SB13.5600F18E33

Hosonic 晶振

HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 13.56 MHz ±30 ppm 18 pF 表面贴装 晶体

E5SB14.7456F18E33

Hosonic 晶振

HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 14.7456 MHz ±30 ppm 18 pF 表面贴装 晶体

E5SB20.0000F18E33

Hosonic 晶振

HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 20 MHz ±30 ppm 18 pF 表面贴装 晶体

E5SB24.0000F18M12

Hosonic 晶振

HCX-5SB 系列 24 MHz ±30 ppm 18 pF 表面贴装 晶体单元

E5SB24.5760F18E33

Hosonic 晶振

HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 24.576 MHz ±30 ppm 18 pF 表面贴装 晶体

当振荡器最初在室温下打开时，相对于烘箱稳定后的输出频率，频率非常高，通常为30x10-6。这仅仅是因为AT切割晶体的频率在室温下远高于其上限周转温度。随着烤箱升温，晶体频率迅速降低。在标准Vectron振荡器中，烘箱在10-15分钟内达到平衡，但晶体在稳定之前显示出橡皮筋效应并超出其最终频率。通常，开机后30分钟内即可达到较高的稳定性；在特殊的快速预热设计中，此时间可缩短至5分钟以下。

E5SB25.0000F18E33

Hosonic 晶振

HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 25 MHz ±30 ppm 18 pF 表面贴装 晶体

E5SB25E00001LE

Hosonic 晶振

HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 25 MHz ±30 ppm 18 pF 表面贴装 晶体

E5SB27.0000F18E33

Hosonic 晶振

HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 27 MHz ±30 ppm 18 pF 表面贴装 晶体

ESA10.0000F30C35F

Hosonic 晶振

HC-49SA Series 10 MHz ±30 ppm 10 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal

ESA12.0000F20B35F

Hosonic 晶振

HC-49SA Series 12 MHz ±30 ppm 20 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal

ESA12.0000F20E33F

Hosonic 晶振

HC-49SA 系列 3.5 mm 高 12 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶体单元

ESA12.0000F30D35F

Hosonic 晶振

HC-49SA Series 12 MHz ±30 ppm 30 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal

ESA12.000F30D55F

Hosonic 晶振

HC-49SA Series 12 MHz ±30 ppm 30 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal

ESA14.7456F20E33F

Hosonic 晶振

HC-49SA 系列 3.5 mm 高 14.7456 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶体单元

ESA16.0000F30M55F

Hosonic 晶振

HC-49SA Series 16 MHz ±30 ppm 30 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal

ESA18.4320F20E33F

Hosonic 晶振

HC-49SA 系列 3.5 mm 高 18.432 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶体单元

ESA20.0000F18M33F

Hosonic 晶振

HC-49SA Series 20 MHz ±50 ppm 18 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal

ESA20.0000F20E33F

Hosonic 晶振

HC-49SA 系列 3.5 mm 高 20 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶体单元

ESA20.0000F30M55F

Hosonic 晶振

HC-49SA Series 20 MHz ±30 ppm 18 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal

1.成本。由于在制造SC晶体时围绕两个轴的严格控制角度旋转与AT的一个轴相比存在困难，因此SC晶体的成本明显高于相同频率和泛音的AT。

ESA3.68640F20E33F

Hosonic 晶振

HC-49SA 系列 3.5 mm 高 3.6864 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶体单元

ESA8.00000F20E33F

Hosonic 晶振

HC-49SA 系列 3.5 mm 高 8 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶体单元

ESB10.0000F20M35F

Hosonic 晶振

HC-49SB Series 10 MHz ±30 ppm 20 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal

ESB11.0592F18E33F

Hosonic 晶振

HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 11.0592 MHz ±30 ppm 18 pF 表面贴装 晶体单元

ESB12.0000F18E33F

Hosonic 晶振

HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 12 MHz ±30 ppm 18 pF 表面贴装 晶体单元

ESB14.7456F18E33F

Hosonic 晶振

HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 14.7456 MHz ±30 ppm 18 pF 表面贴装 晶体单元

ESB16.0000F18E33F

Hosonic 晶振

HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 16 MHz ±30 ppm 18 pF 表面贴装 晶体单元

ESB18.4320F18E33F

Hosonic 晶振

HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 18.432 MHz ±30 ppm 18 pF 表面贴装 晶体单元

ESB19.2000F32M55F

Hosonic 晶振

HC-49SB Series 19.2 MHz ±30 ppm 32 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal

ESB19.44000F18M55F

Hosonic 晶振

49SMA 系列 10 x 3.5 mm 19.44 MHz ±50 ppm 18 pF -40至85 晶振

ESB20.0000F18E33F

Hosonic 晶振

HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 20 MHz ±30 ppm 18 pF 表面贴装 晶体单元

ESB24.0000F18E33F

Hosonic 晶振

HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 24 MHz ±30 ppm 18 pF 表面贴装 晶体单元

ESB24.5760F18E33F

Hosonic 晶振

HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 24.576 MHz ±30 ppm 18 pF 表面贴装 晶体单元

ESB25.0000F18C25F

Hosonic 晶振

HC-49SB Series 25 MHz ±30 ppm 18 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal

ESB25.0000F18E33F

Hosonic 晶振

HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 25 MHz ±30 ppm 18 pF 表面贴装 晶体单元

2.可拉性。SC晶体的运动电容比相同频率和泛音的AT小数倍，从而降低了“拉动”晶体频率的能力。这限制了SC晶体在传统TCXO和VCXO中的使用，甚至在需要能够以任何显着程度偏离振荡频率的恒温振荡器中使用。

ESB3.68640F18E33F

Hosonic 晶振

HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 3.6864 MHz ±30 ppm 18 pF 表面贴装 晶体单元

ESB4.00000F20E23FX

Hosonic 晶振

HC-49SB Series 4 MHz ±30 ppm 20 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal

ESB6.00000F16D33F

Hosonic 晶振

HC-49SB Series 6 MHz ±30 ppm 16 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal

ESB8.00000F18E33F

Hosonic 晶振

HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 8 MHz ±30 ppm 18 pF 表面贴装 晶体单元

ESB8.00000F20B33F

Hosonic 晶振

HC-49SB Series 8 MHz ±30 ppm 20 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal

总结，就这些型号

16.0000M-FQ5032-T

18.4320M-FQ5032-T

5SB10.0000F20E33F

D7SX30E00000PE

E3SB12E000021E

E3SB16.0000F16M33

E3SB16E001500E

E3SB18.4320F18E22

E3SB20E000014E

E3SB24.0000F12M33

E3SB24E00000SE

E3SB26E00000YE

E3SB27E0X000LE

E3SB32E001500E

E3SB40E001200E

E3SB48E000801E

E49A11E0X000JE

E49A12E00000ME

E49A16E00000ME

E49A24E00000HE

E49A25E00001AE

E49A25E000033E