概括Epson旗下产品中的CMOS输出OSC晶振及其性能简述
来源:http://www.yijindz.com 作者:亿金电子 2020年10月27
概括Epson旗下产品中的CMOS输出OSC晶振及其性能简述
所谓OSC晶振即指的是普通有源晶振,同时它还有个名称就是SPXO晶振,这种产品不同于无源晶振的地方就是它自身带有电压源及振荡电路,不需要依靠外部时钟电路驱动,但这同时也限制了其灵活性,比如驱动电平就不够灵活多变;同时有源晶振还有输出模式,常用的是方波和正弦波两种,包括有CMOS,LVDS,正弦波等,但是通常情况下还是采用CMOS输出的产品的比较常见,以下就是对爱普生晶振旗下采用这种输出逻辑的产品的大概的概括,以希望能够帮助广大用户对此加深了解. 这些产品的主要特点如下几点:1)输出频率范围在1Mhz到170Mhz之间,有高频也有低频;2)工作温度区间在-40-105℃之间,可见其中一部分产品的耐高温特性是非常不错的,甚至已经超越工业级晶振,基本满足车载晶振需求了;3)频率公差在±25ppm,±50ppm,±100ppm不等;4)工作电压方面可提供1.8V,2.5V,3.3V,5.0V等多种驱动电平信号;5)封装尺寸倒是极为齐全,目前常用尺寸都有,包括7.0x5.0,5.0x3.2,3.2x2.5,2.5x2.0,2.0x1.6等,输出逻辑方面自然不必多说,都是采用CMOS输出.
爱普生的CMOS简单封装晶体振荡器(SPXO)包含一个石英晶体和一个振荡器集成电路.为了提高质量,爱普生仅使用基本模式晶体.爱普生的CMOSSPXO的尺寸从7.0mmx5.0mm到2.0mmx1.6mm,覆盖温度范围高达-40℃到+105℃,并使用行业标准的引脚排列.
并且爱普生的固定频率CMOS输出SPXO通过各种行业标准的小型表面贴装封装提供高性能和低功耗,并适合所有应用.
关于基础水晶方面的问题:
据说为了保证质量,爱普生晶振CMOS SPXO仅使用基本模式晶体.基本晶体不会遭受第三泛音设计常见的模式跳跃或冷启动问题.与基于PLL的振荡器相比,基本振荡器耗散的功率更少,并且不会产生参考杂散和杂散.
然而对于低于75MHz的频率,EpsonCMOSSPXO使用标准的AT切割(基本)晶体.在80MHz以上,EpsonCMOSSPXO使用HFF(高频基波)晶体.为了获得高频率,使用氢氟酸(HF)蚀刻HFF晶体以产生具有薄谐振区的倒置台面.通过对AT切割和HFF晶体使用光刻MEMS蚀刻工艺,爱普生可在所有频率上实现出色的工艺控制和良好的机械特性.
下面是一些相关的产品信息,能够很直观的看出爱普生在这方面的优势:
然而,对于任何石英晶振产品来说,工作环境的温度是其保持频率稳定最大的障碍,所以爱普生旗下这些CMOS输出SPXO晶振也不例外;还记得在之前提到的四种频率公差吗?不错,那就是在不同温度下的频率公差,在105℃下频率公差会变为100ppm.这是目前还无法进行优化的,所有厂家都还在这条路上走着,没有谁到达了终点.
所谓OSC晶振即指的是普通有源晶振,同时它还有个名称就是SPXO晶振,这种产品不同于无源晶振的地方就是它自身带有电压源及振荡电路,不需要依靠外部时钟电路驱动,但这同时也限制了其灵活性,比如驱动电平就不够灵活多变;同时有源晶振还有输出模式,常用的是方波和正弦波两种,包括有CMOS,LVDS,正弦波等,但是通常情况下还是采用CMOS输出的产品的比较常见,以下就是对爱普生晶振旗下采用这种输出逻辑的产品的大概的概括,以希望能够帮助广大用户对此加深了解. 这些产品的主要特点如下几点:1)输出频率范围在1Mhz到170Mhz之间,有高频也有低频;2)工作温度区间在-40-105℃之间,可见其中一部分产品的耐高温特性是非常不错的,甚至已经超越工业级晶振,基本满足车载晶振需求了;3)频率公差在±25ppm,±50ppm,±100ppm不等;4)工作电压方面可提供1.8V,2.5V,3.3V,5.0V等多种驱动电平信号;5)封装尺寸倒是极为齐全,目前常用尺寸都有,包括7.0x5.0,5.0x3.2,3.2x2.5,2.5x2.0,2.0x1.6等,输出逻辑方面自然不必多说,都是采用CMOS输出.
爱普生的CMOS简单封装晶体振荡器(SPXO)包含一个石英晶体和一个振荡器集成电路.为了提高质量,爱普生仅使用基本模式晶体.爱普生的CMOSSPXO的尺寸从7.0mmx5.0mm到2.0mmx1.6mm,覆盖温度范围高达-40℃到+105℃,并使用行业标准的引脚排列.
并且爱普生的固定频率CMOS输出SPXO通过各种行业标准的小型表面贴装封装提供高性能和低功耗,并适合所有应用.
关于基础水晶方面的问题:
据说为了保证质量,爱普生晶振CMOS SPXO仅使用基本模式晶体.基本晶体不会遭受第三泛音设计常见的模式跳跃或冷启动问题.与基于PLL的振荡器相比,基本振荡器耗散的功率更少,并且不会产生参考杂散和杂散.
然而对于低于75MHz的频率,EpsonCMOSSPXO使用标准的AT切割(基本)晶体.在80MHz以上,EpsonCMOSSPXO使用HFF(高频基波)晶体.为了获得高频率,使用氢氟酸(HF)蚀刻HFF晶体以产生具有薄谐振区的倒置台面.通过对AT切割和HFF晶体使用光刻MEMS蚀刻工艺,爱普生可在所有频率上实现出色的工艺控制和良好的机械特性.
下面是一些相关的产品信息,能够很直观的看出爱普生在这方面的优势:
Product | Size(mm) | Frequency(MHz) | VCC(V) | ICC,max(mA) |
ATCrystalSPXO | ||||
SG2016CAN | 2.0x1.6x0.7 | 1.2to75 | 1.8to3.3 | 3.0 |
SG-210STF | 2.5x2.0x0.8 | 1to75 | 1.8to3.3 | 3.0 |
SG-310SEF | 3.2x2.5x1.05 | 2to48 | 1.8 | 4.5 |
SG-310SDF | 3.2x2.5x1.05 | 2to48 | 2.5 | 4.5 |
SG-310SCF | 3.2x2.5x1.05 | 2to48 | 3.3 | 4.5 |
SG5032CAN | 5.0x3.2x1.1 | 1to75 | 1.8to3.3 | 3.0 |
SG7050CAN | 7.0x5.0x1.3 | 1to75 | 1.8to3.3 | 3.0 |
ATCrystalHighVoltage(5V)SPXO | ||||
SG5032CCN | 5.0x3.2x1.1 | 2.5to50 | 5.0 | 20.0 |
SG7050CCN | 7.0x5.0x1.3 | 2.5to50 | 5.0 | 20.0 |
HFFCrystalSPXO | ||||
SG-210SEH | 2.5x2.0x0.8 | 80to170 | 1.8 | 8.0 |
SG-210SDH | 2.5x2.0x0.8 | 80to170 | 2.5 | 9.0 |
SG-210SCH | 2.5x2.0x0.8 | 80to170 | 3.3 | 11.0 |
SG5032CBN | 5.0x3.2x1.1 | 80to170 | 1.8to3.3 | 11.0 |
SG7050CBN | 7.0x5.0x1.3 | 80to170 | 1.8to3.3 | 11.0 |
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