MEMS硅晶振与石英晶振区别：进口MURATA晶振,CSTCR-G晶振,CSTCR6M40G55Z-R0晶振
MEMS硅晶振采用硅为原材料，采用先进的半导体工艺制造而成。因此在高性能与低成本方面，有明显于石英的优势，具体表现在以下方面：
1) 全自动化半导体工艺(芯片级)，无气密性问题，永不停振。
2) 内部包含温补电路，无温漂，-40—85℃全温保证。
3) 平均无故障工作时间5亿小时。
4) 抗震性能25倍于石英振荡器。
5) 支持1-800MHZ任一频点，精确致小数点后5位输出。
6) 支持1.8V、2.5V、2.8V、3.3V多种工作电压匹配。
7) 支持10PPM、20PPM、25PPM、30PPM、50PPM等各种精度匹配。
8) 支持7050、5032、3225、2520所有标准尺寸封装。
9) 标准四脚、六脚封装，无需任何设计改动，直接替代石英振荡器。
10) 支持差分输出、单端输出、压控(VCXO)、温补(TCXO)等产品种类。
11) 300%的市场增长率，三年内有望替代80%以上的石英振荡器市场。

        自1944年创业以来，村田得到了巨大的发展，在2013年度制定的中期构想最终年度的2015年度，营业额达到了在村田的历史上具有里程碑意义的万亿日元。在此衷心感谢广大客户和各利益相关方长期以来的大力支持。进口MURATA晶振,CSTCR-G晶振,CSTCR6M40G55Z-R0晶振
        世界经济的前景虽不明朗，但电子设备社会正在迅速、切实地向前发展。而这样的变化也为村田带来了新的商机。村田制定了新的“中期构想2018”以及“长期构想”，指明了为电子设备社会的发展做贡献的未来发展之路。
在通信市场，由于智能手机所安装元件的增加，以及载波聚合技术※的普及，村田的元件及模块的需求也在不断地提高，今后，通信市场仍将成为村田的一大支柱。为此，我们将通过供应链管理而实现的稳定供应体制，以及范围广泛的产品阵容，为通信市场提供新的价值。
        此外，我们也将把汽车、能源、医疗保健作为重点市场，并提供只有村田才能实现的价值。在新感应技术及通信技术需求不断提高的IoT社会，村田将作为一个重要的参与者来体现其存在的价值，并不断强化制造、技术开发及人才开发等事业基础。
        村田晶振的发展永无止境，而在新的发展过程中“经营理念”也将始终是各项工作的基础。我们要让分布在世界各地的全体村田员工充分理解村田的“经营理念”，使村田永远成为为客户和社会而存在的企业。

Type	CSTCR6M40G55Z-R0
Frequency	6.4MHZ
Frequency Tolerance	±0.50% max. (25±1℃)
Operating Temperature Range	-40℃ to 125℃
Frequency Shift by Temperature	± 0.30%max.
Frequency Aging	±0.10% max./year(±3ppm max./5years)
Wash	Not available
Load Capacitance	39pF
Equivalent Series Resistance(max.)	50Ω
Drive Level(max.)	0.2μW
Shape	SMD
L x W (size)	4.5x2.0mm

        村田无源晶振使用的场合特别多，大部分电路中都会使用到，这也是工程师在做电路设计中，需要了解了注意的一些问题。首先我们需要了解村田无源晶振有哪些基本特性，其次，我们需要知道村田无源晶振在使用中的基本公式等。
        影响无源晶振稳定性的主要有以下几个参数：驱动功率、负载电容和负性阻抗。图一为无源晶振的基本电路。外部的无源晶振、匹配电容和IC内部的驱动部分一起组成整个的振荡电路。进口MURATA晶振,CSTCR-G晶振,CSTCR6M40G55Z-R0晶振
1）驱动功率
        驱动功率表示振荡晶体单元所需的电功率。如果驱动功率太小不足以驱动无源晶振，则会导致晶振不起振；如果驱动功率过大，则会导致输出频率偏移。这是因为功率过大会造成晶体的应力，从而导致温度升高。如果在晶体单元上施加过多的驱动功率，可能会使晶体恶化甚至损坏其特性。驱动功率可以通过下面的公式计算：
DriveLevel＝I⊃2;•Re（W）
其中，I表示通过晶体单元的电流，Re表示晶体单元的等效电阻。
        那么如何避免这种问题呢？电阻RD常用来防止晶振被过分驱动，可用一台示波器检测OSC输出脚，如果检测到非常清晰的正弦波，且正弦波的上限值和下限值都符合时钟输入需要，则晶振未被过分驱动；相反，如果正弦波形的波峰，波谷两端被削平，而使波形成为方形，则晶振被过分驱动。这时就需要用电阻RD来防止晶振被过分驱动。判断电阻RD大小的最简单的方法就是串联一个微调电阻，从0开始慢慢调高，一直到正弦波不在被削平为止，通过此办法就可以找到最接近的电阻RD值。

2）负载电容
        理论上，当无源晶振电路的等效电容等于负载电容时，无源晶振输出的频率最准确。而电容具有充放电的功能，电容容值越大，放电越慢，电容容值越小，放电越快。如果测得的实际频率比理论值偏小，说明振荡器振荡频率偏慢，电容的放电太慢，等效电容大于负载电容，需要降低外部的匹配电容。负载电容公式如下：
CL=（CG//CD）+CS
即：CL=[（CGxCD）/（CG+CD）]+CS
其中，CG、CD表示匹配电容，CS表示杂散电容。
        频率容限和负载电容的特性关系，负载电容越大，频率容限越小，输出的频率越容易调准。

3）负性阻抗
        负性阻抗是用来评价振荡回路品质（Q）的指标。在某些情况下（老化，温度变化，电压变化…等），振荡回路会失效，回路可能不起振，因此负性阻抗（Negativeresistance，-R）的确认就变得相对重要。稳定的振荡回路，负性阻抗（-R）至少为Crystal阻抗的5倍以上。
1>串联电阻R到Crystal的输出端（Xout）；
2>调整R值，使Crystal由起振至停止振荡；
3>当电路由起振至停止振荡时，测量R值；
4>得到负性阻抗|-R|=R+Re，Re=R1（1+C0/CL）^2，R1就是ESR的值。
        由上可知负载电容CL是非常重要的因素。例如，负载电容小的晶体，驱动功率小，消耗电流小，启动时间短，容易起振，同时也使频率容限大和更坏的频率稳定度。因此在无源晶振选型时，需要充分考虑到这些特性，这样才能设计出可靠的产品。