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TRANSKO水晶应用笔记

来源：http://www.yijindz.com 作者：亿金电子 2022年05月27

订购水晶时需要提供哪些基本信息？

一般我们要求客户提供标称频率、切割角度类型（AT/BT）、支架或封装类型、电阻（ESR）、频率公差、

频率稳定性，负载电容，工作温度范围，驱动功率，老化等。客户也可以在下订单时指定其他特定规格或要求（如果有）。

531EC622M080DG	Silicon晶振	Si531	622.08MHz	2.5V	±7ppm
531FC622M080DG	Silicon晶振	Si531	622.08MHz	2.5V	±7ppm
531FC311M040DG	Silicon晶振	Si531	311.04MHz	2.5V	±7ppm
530BC311M040DG	Silicon晶振	Si530	311.04MHz	3.3V	±7ppm
531BC622M080DG	Silicon晶振	Si531	622.08MHz	3.3V	±7ppm
531FC312M500DG	Silicon晶振	Si531	312.5MHz	2.5V	±7ppm
530EC622M080DG	Silicon晶振	Si530	622.08MHz	2.5V	±7ppm
531EC312M500DG	Silicon晶振	Si531	312.5MHz	2.5V	±7ppm
530BC622M080DG	Silicon晶振	Si530	622.08MHz	3.3V	±7ppm
531AC250M000DG	Silicon晶振	Si531	250MHz	3.3V	±7ppm
530AC311M040DG	Silicon晶振	Si530	311.04MHz	3.3V	±7ppm
530FC312M500DG	Silicon晶振	Si530	312.5MHz	2.5V	±7ppm
531EC250M000DG	Silicon晶振	Si531	250MHz	2.5V	±7ppm
530AC312M500DG	Silicon晶振	Si530	312.5MHz	3.3V	±7ppm
530EC250M000DG	Silicon晶振	Si530	250MHz	2.5V	±7ppm
530AC250M000DG	Silicon晶振	Si530	250MHz	3.3V	±7ppm
530FC250M000DG	Silicon晶振	Si530	250MHz	2.5V	±7ppm
530BC312M500DG	Silicon晶振	Si530	312.5MHz	3.3V	±7ppm
531BC312M500DG	Silicon晶振	Si531	312.5MHz	3.3V	±7ppm
530FC50M0000DG	Silicon晶振	Si530	50MHz	2.5V	±7ppm
535AB125M000DG	Silicon晶振	Si535	125MHz	3.3V	±20ppm
501AAA27M0000DAF	Silicon晶振	Si501	27MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±50ppm
501AAA27M0000DAG	Silicon晶振	Si501	27MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±50ppm
501JCA100M000CAG	Silicon晶振	Si501	100MHz	3.3V	±20ppm
501JCA100M000BAG	Silicon晶振	Si501	100MHz	3.3V	±20ppm
501HCAM032768BAF	Silicon晶振	Si501	32.768kHz	1.7 V ~ 3.6 V	±20ppm
501BCAM032768DAG	Silicon晶振	Si501	32.768kHz	3.3V	±20ppm
501JCAM032768DAG	Silicon晶振	Si501	32.768kHz	3.3V	±20ppm
SI50122-A1-GM	Silicon晶振	SI50122-A1	100MHz	2.25 V ~ 3.63 V	+100ppm
SI50122-A2-GM	Silicon晶振	SI50122-A2	100MHz	2.25 V ~ 3.63 V	+100ppm

频率容差和频率稳定性之间的主要区别是什么？

有时，如果客户指定，“参考”频率可能指的是标称（规格）频率。

频率稳定性通常以百万分之几(ppm)表示。

晶振的频率容差定义为在指定温度（通常为+25°C（-2°C

511SAA100M000AAG	Silicon晶振	Si511	100MHz	1.8V	±50ppm
510BCA148M500BAG	Silicon晶振	Si510	148.5MHz	3.3V	±20ppm
530AA156M250DG	Silicon晶振	Si530	156.25MHz	3.3V	±50ppm
531AA156M250DG	Silicon晶振	Si531	156.25MHz	3.3V	±50ppm
530FB100M000DG	Silicon晶振	Si530	100MHz	2.5V	±20ppm
511FBA125M000AAG	Silicon晶振	Si511	125MHz	2.5V	±25ppm
530BC125M000DG	Silicon晶振	Si530	125MHz	3.3V	±7ppm
535AB156M250DG	Silicon晶振	Si535	156.25MHz	3.3V	±20ppm
536FB125M000DG	Silicon晶振	Si536	125MHz	2.5V	±20ppm
510BBA74M2500BAG	Silicon晶振	Si510	74.25MHz	3.3V	±25ppm
511ABA125M000BAG	Silicon晶振	Si511	125MHz	3.3V	±25ppm
510BBA100M000BAG	Silicon晶振	Si510	100MHz	3.3V	±25ppm
511ABA100M000BAG	Silicon晶振	Si511	100MHz	3.3V	±25ppm
510FBA125M000AAG	Silicon晶振	Si510	125MHz	2.5V	±25ppm
510ABA100M000AAG	Silicon晶振	Si510	100MHz	3.3V	±25ppm
511BBA200M000AAG	Silicon晶振	Si511	200MHz	3.3V	±25ppm
531BC106M250DG	Silicon晶振	Si531	106.25MHz	3.3V	±7ppm
531EC125M000DG	Silicon晶振	Si531	125MHz	2.5V	±7ppm
511ABA74M2500BAG	Silicon晶振	Si511	74.25MHz	3.3V	±25ppm
510FBA74M2500BAG	Silicon晶振	Si510	74.25MHz	2.5V	±25ppm
510ABA100M000BAG	Silicon晶振	Si510	100MHz	3.3V	±25ppm
510FBA100M000AAG	Silicon晶振	Si510	100MHz	2.5V	±25ppm
511BBA74M2500AAG	Silicon晶振	Si511	74.25MHz	3.3V	±25ppm
511ABA106M250AAG	Silicon晶振	Si511	106.25MHz	3.3V	±25ppm
510ABA148M500BAG	Silicon晶振	Si510	148.5MHz	3.3V	±25ppm
511BBA155M520BAG	Silicon晶振	Si511	155.52MHz	3.3V	±25ppm
510ABA156M250BAG	Silicon晶振	Si510	156.25MHz	3.3V	±25ppm
510FBA156M250BAG	Silicon晶振	Si510	156.25MHz	2.5V	±25ppm
511FBA000110BAG	Silicon晶振	Si511	148.35165MHz	2.5V	±25ppm
510BBA155M520AAG	Silicon晶振	Si510	155.52MHz	3.3V	±25ppm
510BBA000110AAG	Silicon晶振	Si510	148.35165MHz	3.3V	±25ppm
511ABA000110AAG	Silicon晶振	Si511	148.35165MHz	3.3V	±25ppm
511BBA000110AAG	Silicon晶振	Si511	148.35165MHz	3.3V	±25ppm
511FBA000110AAG	Silicon晶振	Si511	148.35165MHz	2.5V	±25ppm
510BBA212M500BAG	Silicon晶振	Si510	212.5MHz	3.3V	±25ppm

当晶体不在规范规定的温度范围内工作时，其性能会发生什么变化？
晶振性能会受到影响。我们强烈不建议这样做。它会导致晶体的频率漂移。更糟糕的情况是它可能导致客户电路发生故障。

511ABA212M500BAG	Silicon晶振	Si511	212.5MHz	3.3V	±25ppm
511BBA212M500BAG	Silicon晶振	Si511	212.5MHz	3.3V	±25ppm
511FBA212M500AAG	Silicon晶振	Si511	212.5MHz	2.5V	±25ppm
510BBA200M000AAG	Silicon晶振	Si510	200MHz	3.3V	±25ppm
511BBA212M500AAG	Silicon晶振	Si511	212.5MHz	3.3V	±25ppm
510ABA200M000AAG	Silicon晶振	Si510	200MHz	3.3V	±25ppm
511ABA200M000AAG	Silicon晶振	Si511	200MHz	3.3V	±25ppm
530EC125M000DG	Silicon晶振	Si530	125MHz	2.5V	±7ppm
531FC106M250DG	Silicon晶振	Si531	106.25MHz	2.5V	±7ppm
531FC187M500DG	Silicon晶振	Si531	187.5MHz	2.5V	±7ppm
531FC000110DG	Silicon晶振	Si531	148.35165MHz	2.5V	±7ppm
531EC200M000DG	Silicon晶振	Si531	200MHz	2.5V	±7ppm
531AC000110DG	Silicon晶振	Si531	148.35165MHz	3.3V	±7ppm
531AC148M500DG	Silicon晶振	Si531	148.5MHz	3.3V	±7ppm
535EB156M250DG	Silicon晶振	Si535	156.25MHz	2.5V	±20ppm
510CBA25M0000BAG	Silicon晶振	Si510	25MHz	3.3V	±25ppm
511SBA156M250BAG	Silicon晶振	Si511	156.25MHz	1.8V	±50ppm
501JAA24M0000DAF	Silicon晶振	Si501	24MHz	3.3V	±50ppm
501BAA16M0000DAF	Silicon晶振	Si501	16MHz	3.3V	±50ppm
501JAA24M0000CAF	Silicon晶振	Si501	24MHz	3.3V	±50ppm
501AAA27M0000CAF	Silicon晶振	Si501	27MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±50ppm
501AAA25M0000BAF	Silicon晶振	Si501	25MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±50ppm
501JAA40M0000CAF	Silicon晶振	Si501	40MHz	3.3V	±50ppm
501AAA24M0000BAF	Silicon晶振	Si501	24MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±50ppm
501EAA48M0000CAF	Silicon晶振	Si501	48MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±50ppm
501AAA27M0000BAF	Silicon晶振	Si501	27MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±50ppm
501EAA48M0000BAF	Silicon晶振	Si501	48MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±50ppm
501JAA25M0000BAF	Silicon晶振	Si501	25MHz	3.3V	±50ppm
501BAA50M0000BAF	Silicon晶振	Si501	50MHz	3.3V	±50ppm
501AAA50M0000CAF	Silicon晶振	Si501	50MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±50ppm

什么是AT或BT削减？

-Crystal主要具有其“频率稳定性”特性，这是由于如何将石英棒以某个预先定向的角度切割成晶体晶片的结果。今天最流行和广泛使用的一种是AT-Cut。

AT-cut在Y轴负方向上与Z轴的切削角约为35X15'，而BT切削在Y轴正方向上与Z轴的切削角为-45X。为了便于理解，下面显示了两个切割的图表。

501EAA48M0000DAG	Silicon晶振	Si501	48MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±50ppm
501AAA25M0000DAG	Silicon晶振	Si501	25MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±50ppm
501HCA27M0000DAF	Silicon晶振	Si501	27MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±20ppm
501ABA8M00000BAF	Silicon晶振	Si501	8MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±30ppm
501HCA12M0000DAF	Silicon晶振	Si501	12MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±20ppm
501JCA24M0000DAF	Silicon晶振	Si501	24MHz	3.3V	±20ppm
501AAA24M0000BAG	Silicon晶振	Si501	24MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±50ppm
501BCA16M0000BAF	Silicon晶振	Si501	16MHz	3.3V	±20ppm
501JCA24M0000CAF	Silicon晶振	Si501	24MHz	3.3V	±20ppm
501HCA26M0000BAF	Silicon晶振	Si501	26MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±20ppm
501JAA25M0000BAG	Silicon晶振	Si501	25MHz	3.3V	±50ppm
501BCA16M0000CAF	Silicon晶振	Si501	16MHz	3.3V	±20ppm
501EAA48M0000CAG	Silicon晶振	Si501	48MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±50ppm
501BAA16M0000BAG	Silicon晶振	Si501	16MHz	3.3V	±50ppm
501BAA16M0000CAG	Silicon晶振	Si501	16MHz	3.3V	±50ppm
501JAA24M0000BAG	Silicon晶振	Si501	24MHz	3.3V	±50ppm
501AAA27M0000BAG	Silicon晶振	Si501	27MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±50ppm
501ACA10M0000CAF	Silicon晶振	Si501	10MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±20ppm
501JAA40M0000BAG	Silicon晶振	Si501	40MHz	3.3V	±50ppm
501ACA10M0000BAF	Silicon晶振	Si501	10MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±20ppm
501JCA10M0000BAF	Silicon晶振	Si501	10MHz	3.3V	±20ppm
501HCA12M0000BAF	Silicon晶振	Si501	12MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±20ppm
501JCA25M0000CAF	Silicon晶振	Si501	25MHz	3.3V	±20ppm
501HCA27M0000BAF	Silicon晶振	Si501	27MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±20ppm
501AAA50M0000BAG	Silicon晶振	Si501	50MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±50ppm
501ABA8M00000BAG	Silicon晶振	Si501	8MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±30ppm
501HCA27M0000DAG	Silicon晶振	Si501	27MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±20ppm
501ABA8M00000CAG	Silicon晶振	Si501	8MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±30ppm
501JCA10M0000BAG	Silicon晶振	Si501	10MHz	3.3V	±20ppm
501ACA10M0000BAG	Silicon晶振	Si501	10MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±20ppm
501JCA20M0000CAG	Silicon晶振	Si501	20MHz	3.3V	±20ppm
501BCA16M0000BAG	Silicon晶振	Si501	16MHz	3.3V	±20ppm
501BCA16M0000CAG	Silicon晶振	Si501	16MHz	3.3V	±20ppm
501JCA100M000DAF	Silicon晶振	Si501	100MHz	3.3V	±20ppm
501JCA100M000CAF	Silicon晶振	Si501	100MHz	3.3V	±20ppm

什么是拉力？

晶体的牵引能力是作为负载电容函数的频率变化的量度。

电路设计人员可以通过改变或改变晶体的负载电容来实现工作频率范围。工作频率范围由晶体在给定（变化）负载电容范围内的牵引能力决定。

501JCA100M000BAF	Silicon晶振	Si501	100MHz	3.3V	±20ppm
501JCAM032768DAF	Silicon晶振	Si501	32.768kHz	3.3V	±20ppm
501HCAM032768DAF	Silicon晶振	Si501	32.768kHz	1.7 V ~ 3.6 V	±20ppm
501JCAM032768CAF	Silicon晶振	Si501	32.768kHz	3.3V	±20ppm
501BCAM032768BAF	Silicon晶振	Si501	32.768kHz	3.3V	±20ppm
501BCAM032768CAF	Silicon晶振	Si501	32.768kHz	3.3V	±20ppm
501BCAM032768CAG	Silicon晶振	Si501	32.768kHz	3.3V	±20ppm
500DLAA125M000ACF	Silicon晶振	Si500D	125MHz	2.5V	±150ppm
500DLAA200M000ACF	Silicon晶振	Si500D	200MHz	2.5V	±150ppm
510CBA100M000BAGR	Silicon晶振	*	-	-	-
510CBA125M000BAGR	Silicon晶振	*	-	-	-
510CBA25M0000BAGR	Silicon晶振	*	-	-	-
510GBA100M000BAGR	Silicon晶振	*	-	-	-
510GBA125M000BAGR	Silicon晶振	*	-	-	-
510GBA25M0000BAGR	Silicon晶振	*	-	-	-
510CBA100M000AAGR	Silicon晶振	*	-	-	-
510CBA125M000AAGR	Silicon晶振	*	-	-	-
510CBA25M0000AAGR	Silicon晶振	*	-	-	-
510GBA100M000AAGR	Silicon晶振	*	-	-	-
510GBA125M000AAGR	Silicon晶振	*	-	-	-
510CBA156M250BAGR	Silicon晶振	*	-	-	-
510GBA156M250BAGR	Silicon晶振	*	-	-	-
510CBA156M250AAGR	Silicon晶振	*	-	-	-
510GBA156M250AAGR	Silicon晶振	*	-	-	-
510CBA100M000BAG	Silicon晶振	*	-	-	-

什么是杂散频率？

晶体可能以与其基频或泛音频率无关的频率振动。这种不需要的频率被称为杂散频率。

在晶体设计和制造阶段，可以通过改变晶片尺寸、电极图案设计和调整晶片上的金属化来抑制杂散频率的影响。

510CBA125M000BAG	Silicon晶振	*	-	-	-
510GBA100M000BAG	Silicon晶振	*	-	-	-
510GBA125M000BAG	Silicon晶振	*	-	-	-
510GBA25M0000BAG	Silicon晶振	*	-	-	-
510CBA100M000AAG	Silicon晶振	*	-	-	-
510CBA125M000AAG	Silicon晶振	*	-	-	-
510CBA25M0000AAG	Silicon晶振	*	-	-	-
510GBA100M000AAG	Silicon晶振	*	-	-	-
510GBA125M000AAG	Silicon晶振	*	-	-	-
510ABA100M000BAGR	Silicon晶振	Si510	100MHz	3.3V	±25ppm
510ABA125M000BAGR	Silicon晶振	Si510	125MHz	3.3V	±25ppm
510BBA100M000BAGR	Silicon晶振	Si510	100MHz	3.3V	±25ppm
510BBA125M000BAGR	Silicon晶振	Si510	125MHz	3.3V	±25ppm
510FBA100M000BAGR	Silicon晶振	Si510	100MHz	2.5V	±25ppm
510FBA125M000BAGR	Silicon晶振	Si510	125MHz	2.5V	±25ppm
511ABA100M000BAGR	Silicon晶振	Si511	100MHz	3.3V	±25ppm
511ABA125M000BAGR	Silicon晶振	Si511	125MHz	3.3V	±25ppm
511BBA100M000BAGR	Silicon晶振	Si511	100MHz	3.3V	±25ppm
511BBA125M000BAGR	Silicon晶振	Si511	125MHz	3.3V	±25ppm
511FBA100M000BAGR	Silicon晶振	Si511	100MHz	2.5V	±25ppm
511FBA125M000BAGR	Silicon晶振	Si511	125MHz	2.5V	±25ppm
510ABA106M250BAGR	Silicon晶振	Si510	106.25MHz	3.3V	±25ppm
510BBA106M250BAGR	Silicon晶振	Si510	106.25MHz	3.3V	±25ppm
511ABA106M250BAGR	Silicon晶振	Si511	106.25MHz	3.3V	±25ppm
511BBA106M250BAGR	Silicon晶振	Si511	106.25MHz	3.3V	±25ppm
511FBA106M250BAGR	Silicon晶振	Si511	106.25MHz	2.5V	±25ppm
510ABA000149BAGR	Silicon晶振	Si510	74.175824MHz	3.3V	±25ppm
510ABA74M2500BAGR	Silicon晶振	Si510	74.25MHz	3.3V	±25ppm
510BBA000149BAGR	Silicon晶振	Si510	74.175824MHz	3.3V	±25ppm
510BBA74M2500BAGR	Silicon晶振	Si510	74.25MHz	3.3V	±25ppm

杂散频率会产生什么影响？

当杂散模式的信号电平与主模式一样强时，振荡器可能会在杂散模式而不是主模式上运行。这种现象称为模式跳变。

杂散模式通常定义为对主模式的电阻比或dB抑制。为了避免大多数振荡器的模式跳变，需要与主模式的电阻比为1.5或2.0。这大约相当于主模式下的-3dB至-6dB信号抑制。

510FBA000149BAGR	Silicon晶振	Si510	74.175824MHz	2.5V	±25ppm
510FBA74M2500BAGR	Silicon晶振	Si510	74.25MHz	2.5V	±25ppm
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为什么HC-49S晶体的拉力不如HC-49U晶体？

晶体的牵引能力通常与晶体坯上形成的电极尺寸有关。更大尺寸的晶体坯当然可以容纳更大的电极。HC-49S的毛坯尺寸比HC-49U小。

当晶体与振荡电路中给定的负载电容串联放置时，较大的电极通常会提供更宽的频率牵引范围。

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什么是负载电容（CL）？
晶体的作用是放置在振荡电路中工作，以产生所需的振荡频率。当晶体位于振荡电路中时，它会在晶体的两个端子引线处看到一个“负载电容”。这种负载电容是出现在或呈现给晶体的整个振荡电路的等效电容效应。

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