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探索SiTime精密时间解决方案

来源：http://www.yijindz.com 作者：亿金电子 2026年03月03

探索SiTime精密时间解决方案

在导航,航空航天与国防领域,"时间"是贯穿所有核心任务的命脉所在,其精准度直接决定任务的成败与系统的效能——从卫星导航系统的厘米级定位服务,到航天器的星际轨道精准控制与姿态调整,再到国防装备的多平台协同作战,精准打击,每一项核心操作都离不开精准到纳秒级的时间基准支撑.哪怕是微秒级的时间偏差,都可能导致导航定位误差扩大至数百米,航天器轨道偏离预设轨迹,国防装备协同失灵,造成难以挽回的损失.因此,一套稳定,精准,可靠的精密时间解决方案,成为三大领域高端系统不可或缺的核心组成部分,更是推动行业技术升级的关键支撑.导航,航空航天与国防系统的工作环境,堪称时频器件的"终极考验",其严苛程度远超普通工业与消费电子场景:航天器在轨运行时,需长期承受太空中的极端高低温(从-150℃到+120℃),真空环境,强宇宙辐射与轨道调整时的剧烈振动;导航系统无论是车载,户外还是机载场景,都需在复杂电磁干扰,昼夜温差剧烈,颠簸振动等环境中,持续保持纳秒级的时间同步精度;国防装备则需在战场的极端恶劣条件下,具备抗强电磁压制,抗剧烈冲击,抗盐雾侵蚀的能力,同时满足长寿命,低功耗,小型化的集成需求,确保长期部署无需频繁维护.长期以来,传统石英振荡器因自身材质易碎,温度适应性差,频率稳定性不足,体积偏大,功耗偏高的固有痛点,难以承受这类高端场景的严苛考验,往往成为制约系统性能提升,场景拓展的"瓶颈".SiTime精准洞察三大领域的核心痛点与需求缺口,以MEMS(微机电系统)技术为核心,彻底重构时频器件的设计与制造逻辑,推出专为导航,航空航天与国防系统量身打造的精密时间解决方案,从精度,可靠性,环境适配,集成性等多维度实现突破性升级,凭借硅基技术的天然优势,成为全球三大领域高端系统的优选时频方案.

作为MEMS时频技术的全球绝对领导者,美国SiTime晶振深耕精密时频领域二十余年,凭借持续的技术创新与深厚的研发积淀,已将其时序器件产品的核心性能提升约100倍,随着MEMS制造工艺与新型材料技术的不断进步,预计未来还将再提升一个数量级.公司的核心创新的在于以硅替代传统易碎的石英晶体,通过微机电系统技术的精准控制,实现了时频器件更小的尺寸,更低的功耗,以及在更极端环境下的更高稳定性——这些特性恰好精准匹配导航,航空航天与国防系统对时频器件的核心诉求.此外,SiTime通过战略收购瑞萨电子的定时业务,进一步整合了行业优质研发资源与产品技术,完善了自身的全系列时序产品布局,加速其成为规模化,纯粹化的精密定时领域领导者的进程,能够全面覆盖导航,航空航天与国防系统从核心控制模块到终端设备的全场景时频需求,凭借深厚的技术壁垒,完善的产品矩阵与丰富的行业应用经验,为三大领域提供从产品选型,方案设计到售后支持的全流程精密时间支撑.

SiTime精密时间解决方案的四大核心优势

SiTime专为导航,航空航天与国防系统设计的精密时间解决方案,并非单一器件的简单组合,而是一套融合了核心器件,算法优化,封装工艺与测试验证的全链路解决方案.其核心依托SiTime自主研发的高性能MEMS谐振器,先进的恒温控制技术,全链路抗干扰设计与精密校准算法,在频率精度,环境适配能力,可靠性,集成性四大核心维度实现全方位突破,既彻底解决了传统石英时频方案的固有痛点,又深度贴合三大领域的个性化,严苛化需求,充分彰显了硅基MEMS时频技术相较于传统石英技术的绝对优势,为三大领域核心系统的稳定运行提供坚实保障.

优势一:纳秒级精准同步,筑牢核心系统时频基准

精准的时间同步是导航,航空航天设备晶振与国防系统的核心需求,不同场景对时间精度的要求更是达到了极致严苛的水平:卫星导航系统的星地时间同步误差需严格控制在纳秒级,才能实现厘米级的定位精度;航天器的轨道计算,姿态调整与推进控制,需要稳定的时频基准支撑,确保每一次轨道变轨,姿态调整都精准无误;国防协同作战场景中,多兵种,多装备之间的时间同步精度需达到微秒级以下,才能实现指令的快速传递,目标的精准锁定与协同打击.SiTime精密时间解决方案,依托其自主研发的Titan MEMS谐振器与高频Elite系列振荡器,结合先进的精密频率校准技术与智能恒温控制算法,实现了极致的频率稳定度与时间同步精度,完美满足三大领域的严苛需求.

方案中的核心时频器件,频率稳定度可稳定达到±1ppb~±10ppb级别,其中针对航空航天,国防高端场景的定制化规格,可实现亚ppb级的极致精度,远高于传统石英振荡器±10ppb~±100ppb的水平;同时,器件具备极低的相位噪声,noise floor可达到-180dBc/Hz之水平,远优于市场上同类竞争产品,能够有效抵消温度波动,电压变化,电磁干扰,振动等外部复杂因素的影响,确保时钟信号的持续稳定输出,无明显漂移.这种超高精度的时频支撑,能够为卫星导航接收机,航天器控制系统,国防雷达,指挥控制系统,导弹制导系统等核心设备提供精准可靠的时频基准,确保系统各项核心任务的精准开展,从根本上提升导航定位的精度,航天器轨道控制的可靠性与国防装备协同作战的效能.

优势二:极端环境全域适配,从容应对严苛工况

导航,航空航天与国防系统的工作环境往往极端复杂且多变,高低温,真空,宇宙辐射,剧烈振动,强电磁干扰,盐雾侵蚀等多种严苛因素并存,对时频器件的环境适应性提出了近乎苛刻的要求,传统石英器件因材质脆弱,封装工艺有限,往往在这类环境中易出现频率漂移,性能衰减甚至损坏的问题.SiTime凭借硅基MEMS技术的天然优势,搭配定制化的精密封装工艺与多轮严苛的环境测试,让其精密时间解决方案具备了全场景极端环境适配能力,彻底解决了传统石英器件易碎,环境适应性差的行业痛点,能够从容应对三大领域的各类严苛工况.在温度适配方面,方案中的时频器件经过特殊的温度补偿与恒温控制优化,工作温度范围可稳定覆盖-55℃~+125℃,部分针对航空航天极端场景的定制化产品,可延伸至-150℃~+150℃,能够从容应对航天器在轨运行的极端高低温环境,户外卫星导航晶振设备的昼夜温差(从-40℃到+60℃),以及国防装备在高温沙漠,严寒极地等极端地区的部署需求,无论环境温度如何剧烈波动,都能维持频率输出的稳定性,无明显频率漂移,确保核心系统正常运行;在抗干扰与可靠性方面,产品采用高可靠性金属封装材质,搭配精密的真空封焊技术与抗辐射设计,有效隔绝真空,宇宙辐射,湿度,盐雾的侵蚀,同时具备优异的抗振,抗冲击性能,抗振动可达10-2000Hz,20G加速度,抗冲击可达1000G,0.3ms,能够轻松承受航天器发射时的剧烈冲击(可达数千G),导航设备的户外颠簸,以及国防装备在战场环境中的冲击与振动;此外,方案经过严格的电磁兼容(EMC)测试,具备极强的抗电磁干扰能力,可有效抵御国防战场的电磁压制,航天器在轨的电磁干扰,以及导航场景中的各类电磁干扰,避免电磁干扰对时频信号的影响,确保核心系统的稳定运行.

优势三:小型化低功耗集成,适配高端设备轻量化需求

导航,航空航天与国防领域的核心设备,往往对体积,重量与功耗有着极为严格的限制,这也是制约设备升级与场景拓展的重要因素:航天器的载荷空间极其有限,每1克重量的增加都可能导致发射成本大幅上升,且能源供应有限,对设备功耗提出了极致要求;便携式导航设备,手持式国防装备依赖电池供电,需要低功耗特性来延长续航时间,满足户外长时间工作需求;国防装备的轻量化,集成化需求日益迫切,需要时频器件具备小型化,易集成的特点,简化设备设计流程.传统石英振荡器体积偏大,功耗偏高,难以适配这类轻量化,小型化,低功耗的集成需求,而SiTime精密时间解决方案凭借硅基MEMS技术的天然优势,实现了小型化,低功耗与高性能的完美平衡,精准匹配三大领域的设备需求.SiTime的MEMS时频器件采用微型化设计,通过先进的芯片集成工艺,体积较传统石英振荡器缩小50%以上,部分超小型规格封装尺寸可低至1612mm晶振,可灵活集成于小型导航模块,航天器微型控制系统,便携式国防装备,导弹制导模块等设备中,大幅节省设备内部空间,助力设备实现轻量化,小型化升级,降低航天器发射成本与装备部署难度;同时,方案具备优异的低功耗特性,通过电路优化与智能功耗调节技术,典型工作电流可低至几十毫安级,待机功耗低至微安级,相较于传统石英振荡器功耗降低30%以上,能够有效延长便携式导航设备,航天器的电池续航时间,减少能源消耗,降低设备运维成本,完美适配长时间无外接电源的工作场景,如户外导航,航天器在轨长期运行(可达数年),国防野外部署等.此外,SiTime的Titan MEMS谐振器还具备独特的集成优势,可将裸芯片与瑞萨电子的MCU或SoC芯片集成到单个封装中,形成一体化解决方案,进一步提升设备的集成度,简化设计流程,缩短客户的研发周期.

优势四:高可靠性长寿命,降低核心系统运维风险

导航,航空航天与国防系统的核心设备,往往需要长期稳定运行,且运维难度大,成本极高,甚至部分设备无法进行现场运维:航天器在轨运行后,一旦出现故障无法进行现场维修,只能接受任务失败或设备报废的结果;国防装备大多部署在偏远地区或战场环境,维护成本极高,且频繁维护会影响装备的部署效能;导航设备需要全天候,长期稳定工作,才能保障定位服务的连续性与可靠性.SiTime精密时间解决方案,通过严苛的生产工艺,全流程品质管控与多轮可靠性测试,实现了高可靠性与长寿命的核心优势,大幅降低核心系统的运维风险与成本,为三大领域核心任务的长期稳定开展提供有力保障.方案中的核心时频器件,采用全自动化生产线与高精度加工设备制造,实现从芯片研发,晶圆加工,封装测试到成品交付的全流程自主可控,最大限度减少人工操作误差,确保产品品质的一致性与稳定性;同时,产品经过温度循环,振动,冲击,辐射,盐雾,湿度,寿命测试等多项严苛检测,每一项检测标准都远超行业规范,其故障率远低于传统石英振荡器,使用寿命可达10万小时以上,部分针对航空航天场景的产品,使用寿命可延伸至20万小时以上,能够完美适配航天器在轨长期运行,国防装备长期部署,导航设备全天候工作的需求.此外,SiTime建立了完善的品质管控体系,从原材料筛选,生产过程管控到成品出厂检测,每一个环节都配备专业的检测设备与技术人员,每一款产品出厂前都需经过多重抽样复检,确保产品能够在极端环境下长期稳定运行,为核心系统的长效可靠工作提供坚实保障,大幅降低因时频器件故障导致的系统失效风险.

SiTime解决方案守护三大领域核心任务

依托纳秒级精度,极端环境适配,小型化晶振低功耗,高可靠长寿命的四大核心优势,SiTime精密时间解决方案已广泛渗透到导航,航空航天与国防三大领域的各类高端系统中,针对不同场景的核心需求与痛点,实现差异化适配,为各类高端设备提供精准,稳定,可靠的时频支撑,助力核心任务的顺利开展,推动行业技术升级与场景拓展,成为三大领域高端系统升级的核心驱动力.

场景一:卫星导航系统——精准时频,赋能厘米级定位

卫星导航系统(如北斗,GPS,GLONASS)的核心竞争力,在于定位精度与时间同步精度,而时频器件的性能直接决定了导航系统的定位误差与服务可靠性.卫星导航的定位原理基于"时间差计算",卫星与地面接收机之间的时间同步误差每增加1纳秒,定位误差就会增加约30厘米,因此,纳秒级的时间同步精度是实现厘米级定位的核心前提.SiTime精密时间解决方案,专为卫星导航系统的星地设备量身打造,无论是卫星在轨的时频基准模块,还是地面接收机的同步模块,都能提供极致的时间同步精度与频率稳定性,全方位提升导航系统的性能.在卫星端,SiTime的高可靠性MEMS振荡器,经过抗辐射,抗真空,宽温适配优化,能够在太空真空,极端高低温,强宇宙辐射环境下长期稳定工作,为卫星的轨道计算,信号生成与传输提供稳定的时频基准,确保星地时间同步误差严格控制在纳秒级,为地面接收机的精准定位提供基础;在地面接收机端,方案的低功耗,高抗干扰特性,能够适配户外复杂电磁环境,昼夜温差剧烈,颠簸振动等场景,精准接收卫星信号,结合纳秒级时间同步能力,实现厘米级定位精度,广泛应用于车载导航,户外地质勘探,精准农业,国防定位,无人机导航等各类场景.相较于传统石英方案,SiTime解决方案不仅大幅提升了导航定位的精度与可靠性,有效降低了定位误差,还通过小型化,低功耗设计,助力地面接收机实现便携式,轻量化升级,拓展了卫星导航系统的应用边界,满足更多高端场景的定位需求.

场景二:航空航天领域——稳定可靠,护航星际探索

航空航天领域的每一项任务,都承载着重大的科研与应用价值,其对时频器件的可靠性与环境适应性提出了极高要求——航天器发射时的剧烈冲击,在轨运行的极端高低温与强辐射,航空器飞行中的振动与复杂电磁干扰,都可能导致时频信号异常,进而影响任务成败,甚至造成重大损失.SiTime精密时间解决方案,凭借极端环境适配能力与高可靠性,成为航空航天设备的核心时频支撑,全方位护航星际探索与航空飞行任务的顺利开展.在航天器(卫星,飞船,探测器)中,方案可广泛应用于姿态控制系统,推进系统,通信系统,导航系统等核心模块,提供稳定,精准的时频基准,确保航天器的轨道调整,姿态控制精准无误,助力航天器完成星际探测,卫星通信,气象观测,空间科学实验等核心任务;例如,在火星探测器中,SiTime的MEMS振荡器能够在火星表面的极端高低温(-150℃~+20℃)与复杂环境下稳定工作,为探测器的地形探测,样本分析,信号传输提供时频支撑,确保探测任务的顺利完成.在航空器(飞机,直升机,无人机)中,方案可适配飞行控制系统,导航系统,通信系统,能够在高空低温,剧烈振动,复杂电磁环境下稳定工作,确保飞行安全与导航精准,为机组人员提供可靠的时频参考.此外,SiTime的小型化,低功耗设计,能够有效节省航天器的载荷空间与能源消耗,延长航天器的在轨运行寿命,降低航空航天任务的成本,为航空航天事业的高质量发展提供有力支撑.

场景三:国防系统——抗扰长效,筑牢安全屏障

国防系统的稳定性与可靠性,直接关系到国家主权与安全,而时频同步是国防装备协同作战,精准打击,指令传输的核心前提.国防场景的工作环境极为恶劣,战场电磁压制,剧烈冲击,极端高低温,盐雾侵蚀等因素,对时频器件的抗干扰能力,可靠性与长寿命提出了严苛要求.SiTime精密时间解决方案,专为国防系统的严苛需求打造,具备抗干扰,抗冲击,长寿命,低功耗,小型化的核心特质,广泛应用于国防雷达,指挥控制系统,导弹系统,无人机晶振,舰载设备等核心装备,筑牢国家国防安全屏障.在国防雷达系统中,方案的高频率稳定度与低相位噪声特性,能够大幅提升雷达的探测精度,探测距离与抗干扰能力,确保精准捕捉空中,地面,海上的目标信号,避免因时频偏差导致的目标误判,漏判,为国防预警与目标打击提供可靠支撑;在指挥控制系统中,方案的纳秒级时间同步能力,能够实现多兵种,多装备之间的精准协同,确保指挥指令的快速传递与执行,提升协同作战效能,实现"多装备联动,精准打击";在导弹系统与无人机中,小型化,低功耗,高可靠性的优势,能够适配装备的轻量化,小型化需求,同时确保装备在复杂战场环境下长期稳定工作,提升导弹的打击精度与无人机的续航能力,增强国防装备的作战效能.此外,方案的强抗电磁干扰能力,能够有效抵御战场电磁压制,确保国防装备在复杂电磁环境下正常运行,避免因电磁干扰导致的装备失效,全方位守护国家国防安全.

SiTime,全球精密时频领域的创新引领者

作为全球MEMS时频技术的领军者,SiTime凭借深厚的技术积淀,完善的产品布局,严苛的品质管控与丰富的行业应用经验,成为导航,航空航天与国防领域精密时间解决方案的首选供应商,赢得了全球众多高端设备厂商与科研机构的高度认可与信赖.公司经过二十余年的持续研发与技术创新,构建了完善的技术壁垒,其MEMS时频技术凭借体积小,功耗低,可靠性高,环境适应性强的独特优势,已逐步替代传统石英技术,成为高端时频领域的主流选择,推动精密时频领域进入硅基MEMS时代.在技术研发方面,SiTime拥有一支由时频技术专家,资深工程师,材料科学家组成的专业研发团队,团队成员具备数十年的时频器件研发经验,持续投入研发资源(每年将营收的15%以上投入研发),配备先进的研发设备与专业实验室,不断突破技术瓶颈,优化产品性能.公司注重技术创新与专利保护,构建了完善的专利体系,累计拥有数百项核心发明专利,尤其在MEMS谐振器,恒温控制,抗干扰设计,精密校准等领域,拥有多项突破性技术,始终保持行业技术领先地位.通过收购瑞萨电子的定时业务,SiTime进一步整合了行业优质研发资源与产品技术,完善了自身的全系列时序产品布局,能够为导航,航空航天与国防领域提供更全面,更贴合需求的精密时间解决方案,满足不同场景的个性化需求.

在生产制造与品质管控方面,SiTime建立了全球标准化的生产体系,在全球多个地区布局现代化生产基地,采用全自动化生产线与高精度加工设备,实现从芯片制造,晶圆加工,封装测试到成品交付的全流程自主可控,最大限度减少人工操作误差,确保产品品质的一致性与稳定性.公司制定了远超行业标准的品质管控规范,每一款产品都需经过极端环境测试,寿命测试,抗干扰测试,辐射测试等多项严苛检测,只有全部通过检测且抽样复检合格后,才能交付客户,确保产品能够在导航,航空航天与国防的极端场景下稳定运行.同时,SiTime小体积晶振建立了完善的供应链管理体系,整合全球优质供应链资源,优化采购,生产,物流等各个环节,确保产品交付的及时性与稳定性,满足客户的批量订单与试样需求.

在服务方面,SiTime在全球范围内建立了完善的服务体系,组建了一支专业的技术服务团队,团队成员具备丰富的时频产品应用与调试经验,熟悉导航,航空航天与国防领域的场景需求,为客户提供从产品选型,样品测试,技术支持到售后维护的全流程一站式服务.针对客户的个性化场景需求,SiTime可联合研发团队定制专属的精密时间适配方案,优化产品频率,功耗,封装,温度适配范围等参数,最大限度降低客户的研发成本与周期,实现厂商与客户的互利共赢,共同发展.此外,SiTime还为客户提供专业的技术培训与方案咨询服务,助力客户快速掌握产品应用技巧,提升产品部署效率.

探索SiTime精密时间解决方案

NI-10M-3510	Taitien	NI-10M-3500	OCXO	10 MHz	CMOS	5V	±0.2ppb
NI-10M-3560	Taitien	NI-10M-3500	OCXO	10 MHz	CMOS	5V	±0.1ppb
OXETECJANF-40.000000	Taitien	OX	XO	40 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±30ppm
OXETGCJANF-25.000000	Taitien	OX	XO	25 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±50ppm
OXETGLJANF-24.576000	Taitien	OX	XO	24.576 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±50ppm
OXETHEJANF-12.000000	Taitien	OX	XO	12 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±100ppm
OXETGCJANF-36.000000	Taitien	OX	XO	36 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±50ppm
OXETGLJANF-40.000000	Taitien	OX	XO	40 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±50ppm
OXETGCJANF-16.000000	Taitien	OX	XO	16 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OXETGCJANF-24.576000	Taitien	OX	XO	24.576 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OXETGCJANF-27.000000	Taitien	OX	XO	27 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OXETGLJANF-16.000000	Taitien	OX	XO	16 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OXKTGLJANF-19.200000	Taitien	OX	XO	19.2 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
OXKTGLJANF-26.000000	Taitien	OX	XO	26 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
OXETGCJANF-50.000000	Taitien	OX	XO	50 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OXETGCJANF-54.000000	Taitien	OX	XO	54 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OXETGLJANF-27.000000	Taitien	OX	XO	27 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OXKTGLKANF-26.000000	Taitien	OX	XO	26 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
OCETDCJTNF-66.000000MHZ	Taitien	OC	XO	66 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±25ppm
OXETECJANF-27.000000	Taitien	OX	XO	27 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±30ppm
OXETGJJANF-7.680000	Taitien	OX	XO	7.68 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±50ppm
OYETCCJANF-12.288000	Taitien	OY	XO	12.288 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±20ppm
OXETGLJANF-38.880000	Taitien	OX	XO	38.88 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETDCKANF-12.800000	Taitien	OC	XO	12.8 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm
OCETECJANF-25.000000	Taitien	OC	XO	25 MHz	CMOS	3.3V	±30ppm
OCETCCJANF-12.000000	Taitien	OC	XO	12 MHz	CMOS	3.3V	±20ppm
OCETCCJANF-25.000000	Taitien	OC	XO	25 MHz	CMOS	3.3V	±20ppm
OCETDCKTNF-50.000000	Taitien	OC	XO	50 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm
OCETDLJANF-2.048000	Taitien	OC	XO	2.048 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm
OCETELJANF-8.000000	Taitien	OC	XO	8 MHz	CMOS	3.3V	±30ppm
OCETGCJANF-12.000000	Taitien	OC	XO	12 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGCJANF-24.576000	Taitien	OC	XO	24.576 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGCJANF-4.000000	Taitien	OC	XO	4 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGCJTNF-100.000000	Taitien	OC	XO	100 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGLJTNF-50.000000	Taitien	OC	XO	50 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGLKANF-20.000000	Taitien	OC	XO	20 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGLKANF-25.000000	Taitien	OC	XO	25 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETHCJTNF-100.000000	Taitien	OC	XO	100 MHz	CMOS	1.8V	±100ppm
OCKTGLJANF-20.000000	Taitien	OC	XO	20 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
OCKTGLJANF-30.000000	Taitien	OC	XO	30 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
OCKTGLJANF-12.000000	Taitien	OC	XO	12 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
OCKTGLJANF-31.250000	Taitien	OC	XO	31.25 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
OCETDCJANF-12.000000	Taitien	OC	XO	12 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm
OCETDCJTNF-50.000000	Taitien	OC	XO	50 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm
OCETGCJANF-33.333000	Taitien	OC	XO	33.333 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGLJTNF-66.667000	Taitien	OC	XO	66.667 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGLJANF-27.000000	Taitien	OC	XO	27 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGLJANF-33.333000	Taitien	OC	XO	33.333 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGLJTNF-66.000000	Taitien	OC	XO	66 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGLJTNF-80.000000	Taitien	OC	XO	80 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCJTDCJANF-25.000000	Taitien	OC	XO	25 MHz	CMOS	2.5V	±25ppm
OCKTGLJANF-24.000000	Taitien	OC	XO	24 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
OXETGLJANF-12.000000	Taitien	OX	XO	12 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±50ppm
OXETDLJANF-8.704000	Taitien	OX	XO	8.704 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±25ppm
OXKTGCJANF-37.125000	Taitien	OX	XO	37.125 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
OXETCLJANF-26.000000	Taitien	OX	XO	26 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±20ppm
OXETDLJANF-25.000000	Taitien	OX	XO	25 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±25ppm
OXETGLJANF-48.000000	Taitien	OX	XO	48 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±50ppm
OXJTDLJANF-25.000000	Taitien	OX	XO	25 MHz	CMOS	2.5V	±25ppm
OXJTGLJANF-25.000000	Taitien	OX	XO	25 MHz	CMOS	2.5V	±50ppm

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